[发明专利]一种电致发光器件及其制备方法、显示装置

说明书

本发明公开了一种电致发光器件及其制备方法、显示装置，在电致发光器件工作时，阴极中的电子经过电子传输层进入量子点壳结构之后，需要经过一个空隙到达核结构，此空隙可以作为电子阻挡层来降低电子的注入，量子点中没有空隙的一侧与空穴传输层直接接触，在一定程度上提高空穴的注入，使得电子和空穴注入更加平衡，提高电致发光器件的效率及寿命。并且，本发明通过在量子点内部引入电子阻挡层，能够减少现有技术在制作电致发光器件时在电子传输层和量子点发光层之间单独制作一层电子阻挡层的工序。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种电致发光器件及其制备方法、显示装置。

背景技术

量子点(Quantum dots，QDs)，又名半导体纳米晶、半导体纳米颗粒，是指尺寸在空间三个维度上均处于纳米数量级或由它们作为基本单元构成的纳米固体材料，是在纳米尺度上的原子和分子的集合体。基于量子点材料的发光二极管被称为量子点发光二极管(Quantum dot light-emitting diode，QLED)，是一种新型的发光器件。

在QLED器件中，各个功能层包括空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层。选择合适的器件结构和各功能层的传输特性相匹配对QLED器件的性能至关重要。目前电子传输层材料ZnO的引入，使电子传输更为高效，从而使电子在QLED器件中成为多子，但由于量子点较深的价带，空穴传输材料通常不能保证足够的空穴注入，这就导致电子空穴的注入不平衡，使得QLED器件效率和寿命均受到影响。

发明内容

本发明实施例提供了一种电致发光器件及其制备方法、显示装置，用以提高电子空穴的注入平衡。

本发明实施例提供的一种电致发光器件，包括依次层叠设置的衬底基板、第一电极、第一辅助功能层、量子点发光层、第二辅助功能层和第二电极；

所述量子点发光层的量子点包括核结构以及包围所述核结构的壳结构，所述核结构的表面划分为第一区域和第二区域，所述第一区域与所述壳结构接触连接，所述第二区域与所述壳结构之间具有空隙，所述空隙靠近所述第二辅助功能层一侧。

可选地，在本发明实施例提供的上述电致发光器件中，所述第一辅助功能层为空穴传输层，所述第二辅助功能层为电子传输层。

可选地，在本发明实施例提供的上述电致发光器件中，所述第一区域与所述壳结构之间通过共价键连接。

可选地，在本发明实施例提供的上述电致发光器件中，所述空隙的最大高度为3nm～7nm。

可选地，在本发明实施例提供的上述电致发光器件中，所述第一区域的面积小于所述第二区域的面积。

可选地，在本发明实施例提供的上述电致发光器件中，所述核结构的材料包括CdS、CdSe、InP、ZnSe、PbS、CsPbCl₃、CsPbBr₃、CsPhI₃、CdSe/ZnSe至少其中之一。

可选地，在本发明实施例提供的上述电致发光器件中，所述壳结构的材料包括ZnSe、ZnS至少其中之一。

相应地，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述电致发光器件。

相应地，本发明实施例还提供了一种电致发光器件的制备方法，包括：

在衬底基板上一层形成层叠设置的第一电极、第一辅助功能层、量子点发光层、第二辅助功能层和第二电极；其中，所述量子点发光层的量子点包括核结构以及包围所述核结构的壳结构，所述核结构的表面划分为第一区域和第二区域，所述第一区域与所述壳结构接触连接，所述第二区域与所述壳结构之间具有空隙，所述空隙靠近所述第二辅助功能层一侧。

可选地，在本发明实施例提供的上述制备方法中，制备所述量子点具体包括：