[发明专利]闪存检测方法、电子设备和存储介质

说明书

本发明公开了闪存检测方法、电子设备和存储介质。该方法包括：获取阈值电压分布分类模型，所述阈值电压分布分类模型包括基于闪存块中的各个页的读取出错数确定的有效阈值电压分布和无效阈值电压分布；针对待测闪存块中的各个页进行读取以获取所述各个页的出错数；基于所述出错数获取与所述待测闪存块相对应的块出错数，以将所述块出错数与预定阈值进行比较；如果所述块出错数小于所述预定阈值，将所述待测闪存块的阈值电压分布输入所述阈值电压分布分类模型；以及如果基于所述阈值电压分布分类模型确定所述阈值电压分布有效，确定所述待测闪存块的检测通过。根据本发明，通过阈值电压分类模型，实现对闪存块中页的阈值电压分布形态的检查。

技术领域

本发明涉及存储器技术领域，特别涉及闪存检测方法、电子设备和存储介质。

背景技术

闪存(flash memory)是一种半导体非易失存储器，随着Flash工艺的进步，出现了越来越多的闪存产品。3D Nand Flash(3D Nand闪存)是新一代的存储产品。3D Nand Flash通过将其阀值电压区间8等分并编码，实现一个存储单元可以保存3Bit数据。在读取数据时，通过对栅级施加不同的电压，判断阀值电压来确定存储单元的值。由于存储值是由存储单元保存的电荷量决定，在存储单元使用过程中可能会出现由电荷量变化引起读取数据出错的情况，因此需要一些策略保证数据可靠性。

目前采用的方法为：进行页编程时，写入数据纠错码，进行页读取时，通过纠错码以快速得到当前页数据的出错数量。获取块内所有页的出错数后，将页平均出错数或者页最大出错数与阀值比较，从而判断并标记当前块是否为坏块。在闪存出厂时，对所有块进行一次坏块标记。在使用过程中，当满足巡检条件时进行标记。但是，只通过页出错数来判断坏块，存在一定局限性，无法发现页电压分布变坏的情况。

发明内容

本发明提供闪存检测方法、电子设备和存储介质，其能够提升对坏块判断的准确性和读取数据的可靠性，实现更好的预测坏块，防止数据丢失。

在本发明的一个方面，提供一种闪存检测方法。该方法包括：获取阈值电压分布分类模型，所述阈值电压分布分类模型包括基于闪存块中的各个页的读取出错数确定的有效阈值电压分布和无效阈值电压分布；针对待测闪存块中的各个页进行读取以获取所述各个页的出错数；基于所述出错数获取与所述待测闪存块相对应的块出错数，以将所述块出错数与预定阈值进行比较；如果所述块出错数小于所述预定阈值，将所述待测闪存块的阈值电压分布输入所述阈值电压分布分类模型；以及如果基于所述阈值电压分布分类模型确定所述阈值电压分布有效，确定所述待测闪存块的检测通过。

在一些实施例中，基于所述出错数获取与所述待测闪存块相对应的块出错数包括：基于所述各个页的所述出错数，得到平均页出错数或最大页出错数；以及将所述平均页出错数或所述最大页出错数作为所述块出错数。

在一些实施例中，该方法还包括：在目标闪存块被编程之后，基于所述目标闪存块的上次读取出错数或所述目标闪存块的上次编程距当前的时间间隔，确定所述目标闪存块是否达到检测条件；以及如果所述目标闪存块达到所述检测条件，将所述目标闪存块作为所述待测闪存块。

在一些实施例中，该方法还包括：如果基于所述阈值电压分布分类模型确定所述阈值电压分布无效，确定所述待测闪存块的检测失败。

在一些实施例中，该方法还包括：如果所述块出错数大于或等于所述预定阈值，确定所述待测闪存块的检测失败。

在一些实施例中，该方法还包括：获取所述待测闪存块的所述阈值电压分布，包括：根据所述待测闪存块的类型，获取起点电压、终点电压和读取步长；由所述起点电压至所述终点电压，依次以所述读取步长为电压差，读取每一电压值下对应的数据量；以及对相邻电压值之间数据量的差值进行拟合，得到所述阈值电压分布。

在一些实施例中，该方法还包括：训练得到所述阈值电压分布分类模型，包括：获取预设数量的闪存块的阈值电压分布数据；以及根据所述阈值电压分布数据对分类器进行训练，得到所述阈值电压分布分类模型。