[发明专利]一种薄膜电容金属化膜片的制备方法

权利要求书

1.一种薄膜电容金属化膜片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、利用一维金属化图样的连续卷绕真空蒸镀设备生产二维周期性金属化图样薄膜；

S2、利用薄膜分切技术将二维周期性金属化图样薄膜分切为膜带卷料，获取非对称中间电极（3）和绝缘边缘的图样；

S3、利用膜带裁切技术将膜带卷料裁切为非完备周期金属化图样膜片，非完备周期金属化图样膜片分为正电极膜片、负电极膜片；

S4、将正电极膜片、负电极膜片叠放成同构膜片，同构膜片形成奇数个单元电容串联的阵列电容器，其中，正电极膜片、负电极膜片的金属化图样数量相同，两者各具有1个不完整周期的金属化图样；

或者将正电极膜片、负电极膜片叠放成异构膜片，异构膜片形成偶数个单元电容串联的阵列电容器，其中，负电极膜片的金属化图样数量比正电极膜片的金属化图样数量多1个，负电极膜片具有2个不完整周期的金属化图样，正电极膜片具有0个不完整周期的金属化图样。

2.根据权利要求1所述的薄膜电容金属化膜片的制备方法，其特征在于，步骤S1中，连续卷绕真空蒸镀设备的辊轴圆周长度大于等于2倍金属化图样一个完整周期的长度。

3.根据权利要求1所述的薄膜电容金属化膜片的制备方法，其特征在于，步骤S4中，将正电极膜片、负电极膜片叠放成同构膜片时，不完整周期的金属化图样形成1个单元电容。

4.根据权利要求3所述的薄膜电容金属化膜片的制备方法，其特征在于，步骤S4中，将正电极膜片、负电极膜片叠放成同构膜片时，N_p=2T+1，其中，T是正电极膜片的金属化图样的完整周期数量，N_p是阵列电容器的单元电容数量。

5.根据权利要求1所述的薄膜电容金属化膜片的制备方法，其特征在于，步骤S4中，将正电极膜片、负电极膜片叠放成异构膜片时，N_p=2T，其中，T是正电极膜片的金属化图样的完整周期数量，N_p是阵列电容器的单元电容数量。

6.根据权利要求4所述的薄膜电容金属化膜片的制备方法，其特征在于，步骤S4中，对于同构膜片形成的阵列电容器，N_m=N_p-1，其中，N_p是阵列电容器的单元电容数量，此时N_p=2T+1，N_m是阵列电容器的中间电极（3）数量。

7.根据权利要求5所述的薄膜电容金属化膜片的制备方法，其特征在于，步骤S4中，对于异构膜片形成的阵列电容器，N_m=N_p-1，其中，N_p是阵列电容器的单元电容数量，此时N_p=2T，N_m是阵列电容器的中间电极（3）数量。

8.根据权利要求1所述的薄膜电容金属化膜片的制备方法，其特征在于，步骤S3中，膜带裁切技术为等距双刀裁切。