[发明专利]一种薄膜电容金属化膜片的制备方法

说明书

本发明公开了一种薄膜电容金属化膜片的制备方法，涉及电容器金属化薄膜制备技术领域，包括以下步骤：S1、利用一维金属化图样的连续卷绕真空蒸镀设备生产二维周期性金属化图样薄膜；S2、利用薄膜分切技术将二维周期性金属化图样薄膜分切为膜带卷料；S3、利用膜带裁切技术将膜带卷料裁切为非完备周期金属化图样膜片，非完备周期金属化图样膜片分为正电极膜片、负电极膜片；S4、将正电极膜片、负电极膜片叠放成同构膜片，同构膜片形成奇数个单元电容串联的阵列电容器；或者将正电极膜片、负电极膜片叠放成异构膜片，异构膜片形成偶数个单元电容串联的阵列电容器。本方案可以制备非完备周期二维金属化图样膜片。

技术领域

本发明涉及电容器金属化薄膜制备技术领域，尤其涉及一种薄膜电容金属化膜片的制备方法。

背景技术

新型阵列电容器的正、负薄膜电极所具有的图样，已经完全不同于卷绕电容器的金属化薄膜的一维图样要求，在阵列电容器的电极和介质膜片的制备上，除了正负电极的应用，还需要设计中间电极，使得阵列电容器具备多样性的结构特点。现有技术中，制备卷绕电容一维金属化图样薄膜卷料的精密加工生产机械，已经发展成为非常成熟的工艺设备，在卷绕电容器制备中，能够实现连续的真空镀膜工艺。但是，连续卷绕真空蒸镀设备能否应用于非完备周期二维金属化图样膜片的制备，在应用连续蒸镀膜带工艺后，如何进一步实施膜片制备的工艺，是本发明需要解决的问题。

发明内容

为解决现有技术不足，本发明提供一种薄膜电容金属化膜片的制备方法，可以制备非完备周期二维金属化图样膜片。

为了实现本发明的目的，拟采用以下方案：

一种薄膜电容金属化膜片的制备方法，包括以下步骤：

S1、利用一维金属化图样的连续卷绕真空蒸镀设备生产二维周期性金属化图样薄膜；

S2、利用薄膜分切技术将二维周期性金属化图样薄膜分切为膜带卷料，获取非对称中间电极和绝缘边缘的图样；

S3、利用膜带裁切技术将膜带卷料裁切为非完备周期金属化图样膜片，非完备周期金属化图样膜片分为正电极膜片、负电极膜片；

S4、将正电极膜片、负电极膜片叠放成同构膜片，同构膜片形成奇数个单元电容串联的阵列电容器，其中，正电极膜片、负电极膜片的金属化图样数量相同，两者各具有1个不完整周期的金属化图样；

或者将正电极膜片、负电极膜片叠放成异构膜片，异构膜片形成偶数个单元电容串联的阵列电容器，其中，负电极膜片的金属化图样数量比正电极膜片的金属化图样数量多1个，负电极膜片具有2个不完整周期的金属化图样。

进一步的，步骤S1中，连续卷绕真空蒸镀设备的辊轴圆周长度大于等于2倍金属化图样一个完整周期的长度。

进一步的，步骤S4中，将正电极膜片、负电极膜片叠放成同构膜片时，不完整周期的金属化图样形成1个单元电容。

进一步的，步骤S4中，将正电极膜片、负电极膜片叠放成同构膜片时，N_p=2T+1，其中，T是正电极膜片的金属化图样的完整周期数量，N_p是阵列电容器的单元电容数量。

进一步的，步骤S4中，将正电极膜片、负电极膜片叠放成异构膜片时，N_p=2T，其中，T是正电极膜片的金属化图样的完整周期数量，N_p是阵列电容器的单元电容数量。

进一步的，步骤S4中，对于同构膜片形成的阵列电容器，N_m=N_p-1，其中，N_p是阵列电容器的单元电容数量，此时N_p=2T+1，N_m是阵列电容器的中间电极数量。