[发明专利]获取阻变器件导电通道分布的方法

权利要求书

1.一种获取阻变器件导电通道分布的方法，其特征在于，包括：

提供阻变器件，所述阻变器件包括层叠设置的第一阵列电极层、阻变层以及第二阵列电极层，所述第一阵列电极层、所述阻变层以及所述第二阵列电极层中的至少之一包括多个阵列排布的子结构，所述阻变器件包括多个阵列排布的阻变器件单元；

调控所述阻变器件的外界电压，并剥离所述第一阵列电极层和/或所述第二阵列电极层以暴露所述阻变层，以获得不同阻态的待测阻变器件单元；

通过扫描所述阻变层的表面信息，所述表面信息包括导电通道的数量和分布位置，以获得所述不同阻态的所述待测阻变器件单元的电流分布；

对所述阻变层进行平面取样，以获得待测平面，所述待测平面为平行于所述阻变层一侧表面的平面；

令所述待测平面沿轴向旋转，通过扫描所述待测平面沿轴向旋转下的多个不同角度的结构信息，以获得所述待测平面在多个不同角度下的所述结构信息的二维数据集；对所述结构信息的二维数据集进行三维重构，得到所述不同阻态的所述待测阻变器件单元的微观结构的三维分布，所述结构信息包括导电通道的形貌状态、分布位置、晶相结构、元素分布和元素价态。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述剥离的方式包括在俄歇电子显微镜监控下通过氩离子束剥离所述第一阵列电极层和/或所述第二阵列电极层以暴露所述阻变层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述剥离的剥离速度为3(nm/min)-10(nm/min)。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过扫描所述阻变层的表面信息包括采用导电探针原子力显微镜测试所述阻变层的导电通道的数量和分布位置。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述平面的定位取样包括采用聚焦离子束显微镜和/或导电探针原子力显微镜进行所述定位取样。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过扫描所述待测平面的所述多个不同角度的结构信息包括采用透射电镜测试所述待测平面的所述多个不同角度的导电通道的形貌状态、分布位置、晶相结构、元素分布和元素价态。

7.根据权利要求6的所述的方法，其特征在于，所述采用透射电镜扫描所述待测平面的多个不同角度的导电通道的形貌状态、分布位置、晶相结构、元素分布和元素价态包括：

令所述待测平面沿轴向旋转多个角度，以使所述透射电镜的电子束照射至所述待测平面，其中，初始状态以0°计，所述旋转的角度范围为-75°至+75°。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述阻变器件包括金属型阻变器件、氧离子型阻变器件和相变型阻变器件中的至少之一。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述阻变器件的面积为0.1μm²-2mm²。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述结构信息的二维数据集进行三维重构包括采用模拟软件进行所述三维重构，所述模拟软件包括数学计算软件、蒙特卡洛模拟计算、电镜数据处理软件和三维可视化软件中的至少之一种。