[发明专利]放肩缺陷实时检测方法、装置、计算机设备和存储介质有效
申请号: | 202310267714.8 | 申请日: | 2023-03-20 |
公开(公告)号: | CN115984276B | 公开(公告)日: | 2023-05-16 |
发明(设计)人: | 曹建伟;傅林坚;刘华;文灿华 | 申请(专利权)人: | 内蒙古晶环电子材料有限公司;浙江求是半导体设备有限公司;浙江晶盛机电股份有限公司 |
主分类号: | G06T7/00 | 分类号: | G06T7/00;G06T7/73;G06T7/66;G06T7/246;C30B15/20;C30B29/06 |
代理公司: | 杭州华进联浙知识产权代理有限公司 33250 | 代理人: | 黄文勇 |
地址: | 010000 内蒙古自治区*** | 国省代码: | 内蒙古;15 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 缺陷 实时 检测 方法 装置 计算机 设备 存储 介质 | ||
1.一种放肩缺陷实时检测方法,其特征在于,所述方法包括:
实时获取晶体放肩阶段的放肩生长图像及对应的拍摄时间、放肩转速信息;
对每次获取的所述放肩生长图像进行区域检测,得到晶体的肩部目标框,并对所述肩部目标框内区域进行特征检测,得到晶体熔点的第一目标框和晶体棱线的第二目标框,其中,基于所述肩部目标框确定晶体的中心;
根据所述拍摄时间和所述放肩转速信息实时更新熔点、棱线相对所述中心的地标位置,并基于所述地标位置对所述第一目标框、所述第二目标框的追踪位置进行匹配追踪,确定晶体的放肩工艺状态;所述地标位置为所述晶体熔点、棱线的理论位置,即理论上存在熔点或棱线的位置;
其中,所述第一目标框、所述第二目标框的追踪位置分别为所述第一目标框的质点、所述第二目标框中棱线所在的对角线与晶体肩部轮廓的交点相对所述中心的位置,基于晶体放肩阶段的初始图像中所述第一目标框、所述第二目标框的追踪位置进行所述地标位置的初始化。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第二目标框包括左棱线框与右棱线框,所述左棱线框、所述右棱线框基于图像中晶体的对称线进行分类;
其中,以所述左棱线框的副对角线与晶体肩部轮廓的交点相对所述中心的位置作为其追踪位置,以所述右棱线框的主对角线与晶体肩部轮廓的交点相对所述中心的位置作为其追踪位置。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据所述拍摄时间和所述放肩转速信息实时更新熔点、棱线相对所述中心的地标位置包括:
根据所述拍摄时间和所述放肩转速信息实时得到晶体的转动角度;
根据所述转动角度更新熔点、棱线相对所述中心的地标位置,其中,所述地标位置为经过所述中心的地标线。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述基于所述地标位置对所述第一目标框、所述第二目标框的追踪位置进行匹配追踪,确定晶体的放肩工艺状态包括:
基于所述地标位置对所述第一目标框、所述第二目标框的追踪位置进行匹配追踪,并基于晶体转动一周内各熔点、棱线的追踪状态确定晶体的放肩工艺状态,其中,通过各个所述第一目标框、所述第二目标框的追踪位置相对所述中心的位置转动对各熔点、棱线进行标注区分。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述基于所述地标位置对所述第一目标框、所述第二目标框的追踪位置进行匹配追踪之后,还包括:
基于所述第一目标框、所述第二目标框的追踪位置对所述地标位置进行校正。
6.根据权利要求1至权利要求5任意一项所述的方法,其特征在于,所述基于所述肩部目标框确定晶体的中心包括:
根据所述肩部目标框的长宽尺寸确定晶体的中心,其中,以图像中实际识别的晶体肩部轮廓的边界值作为所述肩部目标框的长宽尺寸。
7.根据权利要求1至权利要求5任意一项所述的方法,其特征在于,所述对每次获取的所述放肩生长图像进行区域检测,得到晶体的肩部目标框,并对所述肩部目标框内区域进行特征检测,得到晶体熔点的第一目标框和晶体棱线的第二目标框包括:
通过预先训练得到的神经网络模型对每次获取的所述放肩生长图像进行区域检测,得到所述肩部目标框,并通过所述神经网络模型对所述肩部目标框内区域进行特征检测,得到所述第一目标框和所述第二目标框,其中,所述神经网络模型包括肩部检测模型和特征检测模型。
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