[发明专利]放肩缺陷实时检测方法、装置、计算机设备和存储介质

说明书

本申请涉及一种放肩缺陷实时检测方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：通过实时获取晶体放肩阶段的放肩生长图像及对应的拍摄时间、放肩转速信息，对每次获取的放肩生长图像进行区域检测，得到晶体的肩部目标框，并对肩部目标框内区域进行特征检测，得到晶体熔点的第一目标框和晶体棱线的第二目标框，其中，基于肩部目标框确定晶体的中心，根据拍摄时间和放肩转速信息实时更新熔点、棱线相对中心的地标位置，并基于地标位置对第一目标框、第二目标框的追踪位置进行匹配追踪，确定晶体的放肩工艺状态。采用本方法能够实时稳定、精准地追踪晶体在放肩阶段的各熔点、棱线的状态，以确定晶体的放肩工艺状态。

技术领域

本申请涉及半导体制备检测技术领域，特别是涉及一种放肩缺陷实时检测方法、装置、计算机设备和存储介质。

背景技术

在单晶硅等晶棒的生长过程中，需要经过引晶，放肩，转肩，等径，收尾等工序，其中，在放肩过程中，随着晶体尺寸的不断增大，会出现一些扩断现象，例如晶体变晶、熔点消失等等，这些异常情况都会对晶体的制备造成影响，因此，需要在放肩过程中对晶体进行实时检测。

在传统技术中，一方面，主要依靠人工观测来检查各个炉台的放肩工艺，若判断为扩断，则手动终止放肩工艺，然而这种方式检测效率低下，并且容易带来误判、漏检等问题。另一方面，还采用视觉检测的方法进行放肩监控，但是由于放肩特征多样、炉内环境多变，使得该检测方法难以检出有效特征，并且在放肩工艺的初期时直径很小，特征不明显造成了很大的缺陷特征检测难度，在放肩工艺的后期时直径很大，视野遮挡造成了很大的缺陷特征检测难度。另外，在放肩阶段晶体处于转动状态，使得晶体特征也会伴随转动，这对于视觉检测而言，难以实现对每一特征的精准定位与监控。

发明内容

基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够实时精准追踪放肩工艺状态的放肩缺陷实时检测方法、装置、计算机设备和存储介质。

第一方面，本申请提供了一种放肩缺陷实时检测方法，方法包括：

实时获取晶体放肩阶段的放肩生长图像及对应的拍摄时间、放肩转速信息；

对每次获取的放肩生长图像进行区域检测，得到晶体的肩部目标框，并对肩部目标框内区域进行特征检测，得到晶体熔点的第一目标框和晶体棱线的第二目标框，其中，基于肩部目标框确定晶体的中心；

根据拍摄时间和放肩转速信息实时更新熔点、棱线相对中心的地标位置，并基于地标位置对第一目标框、第二目标框的追踪位置进行匹配追踪，确定晶体的放肩工艺状态；

其中，第一目标框、第二目标框的追踪位置分别为第一目标框的质点、第二目标框中棱线所在的对角线与晶体肩部轮廓的交点相对中心的位置，基于晶体放肩阶段的初始图像中第一目标框、第二目标框的追踪位置进行地标位置的初始化。

在其中一个实施例中，第二目标框包括左棱线框与右棱线框，左棱线框、右棱线框基于图像中晶体的对称线进行分类；

其中，以左棱线框的副对角线与晶体肩部轮廓的交点相对中心的位置作为其追踪位置，以右棱线框的主对角线与晶体肩部轮廓的交点相对中心的位置作为其追踪位置。

在其中一个实施例中，根据拍摄时间和放肩转速信息实时更新熔点、棱线相对中心的地标位置包括：

根据拍摄时间和放肩转速信息实时得到晶体的转动角度；

根据转动角度更新熔点、棱线相对中心的地标位置，其中，地标位置为经过中心的地标线。

在其中一个实施例中，基于地标位置对第一目标框、第二目标框的追踪位置进行匹配追踪，确定晶体的放肩工艺状态包括：

基于地标位置对第一目标框、第二目标框的追踪位置进行匹配追踪，并基于晶体转动一周内各熔点、棱线的追踪状态确定晶体的放肩工艺状态，其中，通过各个第一目标框、第二目标框的追踪位置相对中心的位置转动对各熔点、棱线进行标注区分。