[发明专利]一种过温保护电路及方法

权利要求书

1.一种过温保护电路，其特征在于，包括：基准电流模块、温度检测模块、电流比较模块；

所述基准电流模块的输出端与所述电流比较模块的输入端连接；

所述温度检测模块的输出端与所述电流比较模块的另一输入端连接。

2.根据权利要求1所述的过温保护电路，其特征在于，所述基准保护电路包括启动电路、第一电路、第二电路；

所述启动电路的输出端与所述第一电路的输入端连接；

所述第一电路的输出端与所述第二电路的输入端连接。

3.根据权利要求2所述的过温保护电路，其特征在于，所述启动电路包括第三PMOS管、第四PMOS管、第六电阻；

所述第三PMOS管的漏极和所述第六电阻的一端与所述第四PMOS管的栅极相连；所述第三NMOS管的源极和所述第四NMOS管的源极接地；所述第六电阻的另一端与电源电压端口连接。

4.根据权利要求2所述的过温保护电路，其特征在于，所述第一电路包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第九PMOS管、第十PMOS管、第十一PMOS管、第十二PMOS管、第十三PMOS管、第十四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管；

所述第一PMOS管、所述第二PMOS管、所述第三PMOS管、所述第四PMOS管、所述第一NMOS管和所述第二NMOS管组成自偏置结构；

所述第五PMOS管和所述第七PMOS管构成共源共栅电流镜；

所述第六PMOS管和所述第八PMOS管构成共源共栅电流镜；

所述第九PMOS管和所述第十一PMOS管构成共源共栅电流镜；

所述第十PMOS管和所述第十二PMOS管构成共源共栅电流镜；

所述第十三PMOS管和所述第十四PMOS管构成共源共栅电流镜；

所述第五PMOS管的源极、所述第六PMOS管的源极、所述第一PMOS管的源极、所述第二PMOS管的源极、所述第九PMOS管的源极、所述第十PMOS管的源极、所述第十三PMOS管的源极与电源电压端口连接。

5.根据权利要求2所述的过温保护电路，其特征在于，所述第二电路包括第一三极管、第二三极管、第三三极管、第四三极管、第五三极管、第六三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻；

所述第一三极管的发射极与所述第四电阻的一端相连，所述第一三极管的基极和所述第二三极管的基极与第三三极管的发射极相连，所述第二三极管的发射极和所述第四电阻的另一端与第二电阻的一端相连；

所述第五三极管的发射极与所述第五电阻的一端相连，所述第五三极管的基极和所述第四三极管的基极与所述第六三极管的发射极相连，所述第四三极管的发射极与所述第一电阻的一端相连，所述第一电阻的另一端和所述第三电阻的一端与所述第五电阻的另一端相连；

所述第一三极管的集电极、第三三极管的集电极和基极、所述第二三极管的集电极、所述第二电阻的另一端、所述第三电阻的另一端、所述第四三极管的集电极、所述第六三极管的集电极和基极和所述第五三极管的集电极接地。