[发明专利]一种过温保护电路及方法

说明书

本申请公开了一种过温保护电路及方法，该过温保护电路包括基准电流模块、温度检测模块、电流比较模块；基准电流模块的输出端与电流比较模块的输入端连接；温度检测模块的输出端与电流比较模块的另一输入端连接，本申请利用电流比较模块将接收到的正温度系数电流以及基准电流进行比较，得到比较结果，并根据比较结果调整过温保护电路的输出电压VOUT，不需要通过三极管的基极‑发射极电压进行温度检测，因此过温保护电路不具有检测温度的固有缺点(即检测精度会受到制造工艺偏差的影响)，提升了过温保护电路的检测精度。

技术领域

本申请涉及集成电路领域，尤其涉及一种过温保护电路及方法。

背景技术

随着微电子行业的快速发展，行业内对于集成电路可靠性的要求也越来高。而温度往往是各项性能指标优劣的重要因素之一，为了确保集成电路的性能，则需要高性能的过温保护电路，当芯片温度升高到一定的数值时输出信号关断集成电路，使集成电路处于合适的温度范围内。

目前，过温保护电路主要采用三极管的基极-发射极电压进行温度检测，通过将三极管基极-发射极电压与设定的参考基准电压或正温度系数电压进行比较，进而产生过温关断信号，当温度超过预设值时，过温保护电路输出信号状态发生翻转，由高电平变为低电平，从而实现保护的功能。由于采用三极管的基极-发射极电压检测温度的方式的固有缺点为：检测精度会受到制造工艺偏差的影响，导致过温保护电路的检测精度较低。

因此，如何提升过温保护电路的检测精度，成为本领域亟需解决的问题。

发明内容

本申请提供了一种过温保护电路及方法，目的在于提升过温保护电路的检测精度。

为了实现上述目的，本申请提供了以下技术方案：

一种过温保护电路，包括：基准电流模块、温度检测模块、电流比较模块；

所述基准电流模块的输出端与所述电流比较模块的输入端连接；

所述温度检测模块的输出端与所述电流比较模块的另一输入端连接。

可选的，所述基准保护电路包括启动电路、第一电路、第二电路；

所述启动电路的输出端与所述第一电路的输入端连接；

所述第一电路的输出端与所述第二电路的输入端连接。

可选的，所述启动电路包括第三PMOS管、第四PMOS管、第六电阻；

所述第三PMOS管的漏极和所述第六电阻的一端与所述第四PMOS管的栅极相连；所述第三NMOS管的源极和所述第四NMOS管的源极接地；所述第六电阻的另一端与电源电压端口连接。

可选的，所述第一电路包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第九PMOS管、第十PMOS管、第十一PMOS管、第十二PMOS管、第十三PMOS管、第十四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管；

所述第一PMOS管、所述第二PMOS管、所述第三PMOS管、所述第四PMOS管、所述第一NMOS管和所述第二NMOS管组成自偏置结构；

所述第五PMOS管和所述第七PMOS管构成共源共栅电流镜；

所述第六PMOS管和所述第八PMOS管构成共源共栅电流镜；

所述第九PMOS管和所述第十一PMOS管构成共源共栅电流镜；

所述第十PMOS管和所述第十二PMOS管构成共源共栅电流镜；

所述第十三PMOS管和所述第十四PMOS管构成共源共栅电流镜；