[发明专利]存储器电路及半导体布局结构

说明书

本公开实施例涉及一种存储器电路及半导体布局结构，存储器电路包括：多个感测放大模块，每一感测放大模块用于对一存储单元所输出的数据进行感测放大；多个电源门控模块，一电源门控模块与一感测放大模块对应连接，电源门控模块被配置为：在感测放大模块工作期间，响应于门控信号为对应的感测放大模块提供电源信号。本公开实施例提供的存储器电路至少有利于增强对感测放大模块的驱动能力。

技术领域

本公开实施例涉及半导体技术领域，特别涉及一种存储器电路及半导体布局结构。

背景技术

随着对存储器运行速度以及处理能力需求的增长，对存储器中不同模块的驱动能力提出了更高的要求。例如，存储电路中具有感测放大模块，对存储器存储数据的读取或写入具有重要作用。感测放大模块的主要作用是将位线上的小信号进行放大，进而执行读取或者写入操作。感测放大模块接收从存储单元读取的数据以及参考电压，比较读取数据以及参考电压，并输出对应于读取数据的足以被外部设备识别的电压电平，以便存储单元的数据可以被正确读取。

而感测放大模块需要在预先设定的工作电压下才能正常驱动以进行工作。然而，目前对存储器中的感测放大模块的驱动能力需要进一步增加。

发明内容

本公开实施例提供一种存储器电路及半导体布局结构，至少有利于增加对感测放大模块的驱动能力。

本公开实施例提供一种存储器电路，应用于半导体存储器，所述半导体存储器包括存储单元，包括：多个感测放大模块，每一所述感测放大模块用于对所述存储单元所输出的数据进行感测放大；多个电源门控模块，一所述电源门控模块与一所述感测放大模块对应连接，所述电源门控模块被配置为：在所述感测放大模块工作期间，响应于门控信号为对应的所述感测放大模块提供电源信号。

在一些实施例中，门控信号包括：第一门控信号以及第二门控信号，所述电源信号包括：第一电源信号以及第二电源信号，所述电源门控模块包括：上拉单元，所述上拉单元用于响应于第一门控信号导通，并为所述感测放大模块提供所述第一电源信号，所述第一电源信号是电源电压；下拉单元，所述下拉单元用于响应于第二门控信号导通，并为所述感测放大模块提供所述第二电源信号，所述第二电源信号是接地电压。

在一些实施例中，上拉单元包括：第一晶体管，所述第一晶体管的栅极接收所述第一门控信号，所述第一晶体管的源极耦接第一电源，所述第一晶体管的漏极耦接于所述感测放大模块，所述第一晶体管响应于所述第一门控信号导通，用于向所述感测放大模块提供所述第一电源信号；所述下拉单元包括：第二晶体管，所述第二晶体管的栅极接收所述第二门控信号，所述第二晶体管的源极耦接第二电源，所述第二晶体管的漏极耦接于所述感测放大模块，所述第二晶体管响应于所述第二门控信号导通，用于向所述感测放大模块提供所述第二电源信号。

相应地，本公开实施例还提供一种半导体布局结构，应用于半导体存储器，所述半导体存储器包括存储单元，其特征在于，包括：多个沿第一方向间隔排布的感测放大模块版图，每一所述感测放大模块版图用于形成感测放大模块，对所述存储单元所输出的数据进行感测放大；多个沿所述第一方向间隔排布的电源门控模块版图，一行所述电源门控模块版图与一行所述感测放大模块版图在第二方向上间隔排布，所述第一方向与所述第二方向不同，一所述电源门控模块版图与一所述感测放大模块版图对应连接，所述电源门控模块用于形成电源门控模块，被配置为：在所述感测放大模块工作期间，响应于门控信号为对应的所述感测放大模块提供电源信号。

在一些实施例中，一行所述感测放大模块版图与一行所述电源门控模块版图在沿所述第二方向上正对排布或者错位排布。

在一些实施例中，半导体布局结构还包括：第一金属层，所述第一金属层包括多个金属线图案，所述金属线图案用于定义电源线，每一所述电源线电连接沿所述第二方向上依次排布的一所述感测放大模块与一所述电源门控模块，以将所述电源信号传输至所述感测放大模块，其中，一所述电源线电连接沿所述第二方向上正对的一所述感测放大模块以及一所述电源门控模块。