[发明专利]一种基于HTCC的宽带电桥

说明书

本发明适用于3dB电桥技术领域，提供了一种基于HTCC的宽带电桥，所述宽带电桥包括介质基板、主线和次线；所述介质基板中设置有第一耦合腔、第二耦合腔和第三耦合腔，所述第一耦合腔、第二耦合腔与第三耦合腔依次相连；所述主线包括级联连接的第一主耦合线、第二主耦合线和第三主耦合线，所述第一主耦合线远离第二主耦合线的一端设有输入端，所述第三主耦合线远离第二主耦合线的一端设有直通端；所述次线包括级联连接的第一次耦合线、第二次耦合线和第三次耦合线。本发明采用高温共烧陶瓷（HTCC）技术实现小型化电桥的三维集成，采用多节耦合线级联以及三个不同深度的耦合腔配合，实现多频程和超宽带。

技术领域

本发明属于3dB电桥技术领域，尤其涉及一种基于HTCC的宽带电桥。

背景技术

随着5G通信技术的发展以及普及，随着全球各国对于通信的愈发重视，现在的通信技术正在飞速发展，对于原有的通信网络需要实现5G的全覆盖，原有的4G通信的器件，需要对其进行更新迭代，要替换原有的器件，完善5G通信的频段覆盖，从而满足5G通信的要求。在现代通信系统中，无源器件以其环保无污染、低功耗和可靠性高而被广泛使用。3dB电桥是无源器件中十分常用的器件；例如：在信号合路、分路及功率合成中都用到，并且随着POI(多系统合路平台)市场的不断扩大，对其功率容量也提出了更高的要求。3dB电桥在此运用十分广泛。

如今5G时代来临，通信传输的信号模式越来越多，伴随着的就是对无源器件的带宽有更高的指标，超宽带成为时代的大趋势，除了在通带内要满足常规指标以外，更低的插损、高方向性、大功率、小型化以及便于安装等要求也需要满足。因此，5G通信技术的普及要求我们亟需对现有3dB电桥进行性能的改进，以在满足常规指标以外，提供更低的插损、高方向性、大功率、小型化的设计。

发明内容

本发明实施例的目的在于提供一种基于HTCC的宽带电桥，旨在解决传统的3dB电桥在满足常规指标的情况下，存在高插损、方向性差，以及大功率下难以实现小型化中的至少一个缺陷。

本发明实施例是这样实现的，一种基于HTCC的宽带电桥，所述宽带电桥包括介质基板、主线和次线；

所述介质基板中设置有第一耦合腔、第二耦合腔和第三耦合腔，所述第一耦合腔、第二耦合腔与第三耦合腔依次相连；

所述主线包括级联连接的第一主耦合线、第二主耦合线和第三主耦合线，所述第一主耦合线远离第二主耦合线的一端设有输入端，所述第三主耦合线远离第二主耦合线的一端设有直通端；

所述次线包括级联连接的第一次耦合线、第二次耦合线和第三次耦合线，所述第一次耦合线远离第二次耦合线的一端设有耦合端，所述第三次耦合线远离第二次耦合线的一端设有隔离端；

所述第一主耦合线与第一次耦合线宽边耦合于第一耦合腔，第二主耦合线与第二次耦合线宽边耦合于第二耦合腔，第三主耦合线与第三次耦合线侧边耦合于第三耦合腔；

所述主线、次线的不同侧设置有枝节，用于增加宽带电桥的电性能。

本发明实施例提供的一种基于HTCC的宽带电桥，采用高温共烧陶瓷（HTCC）技术实现小型化电桥的三维集成，采用多节耦合线级联以及三个不同深度的耦合腔配合，实现多频程和超宽带；设置的枝节，可以提高宽带电桥的方向性；采用多耦合腔结构的介质基板，便于在介质基板上下双面加载散热结构，来提升散热效果。

附图说明

图1为本发明实施例提供的一种基于HTCC的宽带电桥的主体结构图；

图2为本发明实施例提供的一种基于HTCC的宽带电桥的正视图；

图3为本发明实施例提供的一种基于HTCC的宽带电桥的俯视图；

图4为本发明实施例提供的一种基于HTCC的宽带电桥的结构示意图；