[发明专利]具有标准单元的半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种具有标准单元的半导体器件，包括：

第一底部晶体管，位于第一行中；

第一顶部晶体管，设置在所述第一行中的所述第一底部晶体管上方，所述第一底部晶体管和所述第一顶部晶体管共享第一栅极结构；

第二底部晶体管，位于紧邻于所述第一行的第二行中；

第二顶部晶体管，设置在所述第二行中的所述第二底部晶体管上方，所述第二底部晶体管和所述第二顶部晶体管共享第二栅极结构；以及

第一底部晶体管层级金属线，从所述第一底部晶体管的第一源极/漏极区横向延伸至所述第二底部晶体管的源极/漏极区。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

层级间源极/漏极通孔，从所述第一底部晶体管的源极/漏极区垂直延伸至所述第一顶部晶体管的源极/漏极区。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

一个或多个电源轨，设置在低于所述第一底部晶体管和所述第二底部晶体管的层级处。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述一个或多个电源轨包括第一电源轨、第二电源轨和第三电源轨，其中，从俯视图看所述第一行中的所述第一底部晶体管和所述第一顶部晶体管在所述第一电源轨和所述第二电源轨之间，并且其中，从所述俯视图看所述第二行中的所述第二底部晶体管和所述第二顶部晶体管位于所述第二电源轨和所述第三电源轨之间。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第一电源轨和所述第三电源轨是V_DD线，并且所述第二电源轨是V_SS线。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，还包括：

第二底部晶体管层级金属线，从所述第一底部晶体管的第二源极/漏极区横向延伸至所述V_SS线上方的位置；以及

通孔，电连接所述V_SS线和所述第二底部晶体管层级金属线。

7.根据权利要求5所述的半导体器件，还包括：

顶部晶体管层级金属线，从所述第二顶部晶体管的源极/漏极区横向延伸至所述V_DD线上方的位置；以及

通孔，电连接所述V_DD线和所述顶部晶体管层级金属线。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一栅极结构的纵轴与所述第二栅极结构的纵轴对齐。

9.一种具有标准单元的半导体器件，包括：

第一底部晶体管，在设置在衬底上的第一行中；

第一顶部晶体管，设置在所述第一行中的所述第一底部晶体管上方，所述第一底部晶体管和所述第一顶部晶体管共享第一栅极结构；

第二底部晶体管，位于紧邻于所述第一行的第二行中；

第二顶部晶体管，设置在所述第二行中的所述第二底部晶体管上方，所述第二底部晶体管和所述第二顶部晶体管共享第二栅极结构；以及

第一顶部晶体管层级金属线，从所述第一顶部晶体管的第一源极/漏极区横向延伸至所述第二顶部晶体管的第一源极/漏极区。

10.一种形成半导体器件的方法，包括：

在衬底上方形成第一底部半导体层和第二底部半导体层，所述第一底部半导体层和所述第二底部半导体层布置在相邻的行中；

在所述第一底部半导体层上形成第一底部源极/漏极区，并且在所述第二底部半导体层上形成第二底部源极/漏极区；

在所述第一底部半导体层上方形成第一顶部半导体层，并且在所述第二底部半导体层上方形成第二顶部半导体层；

在所述第一顶部半导体层上形成第一顶部源极/漏极区，并且在所述第二顶部半导体层上形成第二顶部源极/漏极区；

在所述第一顶部源极/漏极区中的第一个和所述第一底部源极/漏极区中的第一个之间形成层级间源极/漏极通孔；以及

形成包裹环绕所述第一底部半导体层中的沟道区和所述第一顶部半导体层中的沟道区的第一栅极结构，以及形成包裹环绕所述第二底部半导体层中的沟道区和所述第二顶部半导体层中的沟道区的第二栅极结构。