[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

堆叠体，其包括交替堆叠的字线层和绝缘层；

所述堆叠体包括：

第一块，所述第一块包括第一阵列区、第二阵列区和第一阶梯，所述第一阶梯在所述第一阵列区和所述第二阵列区之间延伸；

第二块，所述第二块包括第三阵列区、第四阵列区和第二阶梯，所述第二阶梯在所述第三阵列区和所述第四阵列区之间延伸；

连接区，位于所述第一阶梯和所述第二阶梯之间；以及

缝隙结构，在所述连接区中且位于所述第一阶梯和所述第二阶梯之间，所述缝隙结构将所述连接区划分成第一部分和第二部分；

其中，所述第一块包括所述连接区的所述第一部分、所述第一阵列区、所述第二阵列区和所述第一阶梯；

所述第二块包括所述连接区的所述第二部分、所述第三阵列区、所述第四阵列区和所述第二阶梯。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述第一阶梯具有在降台阶方向上延伸的梯级以及在相对的升台阶方向上延伸的梯级。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一阶梯的梯级还在垂直于所述升台阶方向和所述降台阶方向的横向下台阶方向上延伸。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第二阶梯具有在所述降台阶方向上延伸的梯级以及在所述相对的升台阶方向上延伸的梯级。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第二阶梯的梯级还在垂直于所述降台阶方向和所述升台阶方向的、与所述横向下台阶方向相反的方向上延伸。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述连接区的所述第一部分被布置为与所述第一阶梯相邻并且驱动电流能够经由所述连接区的所述第一部分在所述第一阵列区和所述第二阵列区之间流动；以及

所述连接区的所述第二部分被布置为与所述第二阶梯相邻并且驱动电流能够经由所述连接区的所述第二部分在所述第三阵列区和所述第四阵列区之间流动。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述缝隙结构包括电介质材料。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

位于所述连接区、所述第一阵列区、所述第二阵列区、所述第三阵列区和所述第四阵列区中的沟道结构，所述沟道结构穿过所述堆叠体的所述字线层和所述绝缘层；

位于所述第一阶梯上并且连接至所述第一阶梯中的所述字线层的第一触点结构；以及

位于所述第二阶梯上并且连接至所述第二阶梯中的所述字线层的第二触点结构。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第一阶梯和所述第二阶梯通过所述第一触点结构和所述第二触点结构来耦合至解码结构。

10.一种用于制作半导体器件的方法，包括：

形成交替地设置的牺牲字线层和绝缘层的初始堆叠体；

在所述初始堆叠体中图案化出连接区、第一阶梯区和第二阶梯区；

对所述初始堆叠体中的所述第一阶梯区进行整形，以形成第一阶梯；

对所述初始堆叠体中的所述第二阶梯区进行整形，以形成第二阶梯；以及

形成位于所述连接区中在所述第一阶梯和所述第二阶梯之间的缝隙结构，所述缝隙结构将所述连接区划分成第一部分和第二部分，其中，

所述第一阶梯形成于所述初始堆叠体的第一块中，所述第一块包括所述连接区的所述第一部分、第一阵列区、第二阵列区和所述第一阶梯，并且所述第一阶梯在所述第一块的所述第一阵列区和所述第二阵列区之间延伸，

所述第二阶梯形成于所述初始堆叠体的第二块中，所述第二块包括所述连接区的所述第二部分、第三阵列区、第四阵列区和所述第二阶梯，并且所述第二阶梯在所述第二块的第三阵列区和所述第四阵列区之间延伸，以及

所述连接区形成于所述初始堆叠体中在所述第一阶梯和所述第二阶梯之间。