[发明专利]一种解耦的主变虚端子校核方法

权利要求书

1.一种解耦的主变虚端子校核方法，其特征在于：包括如下步骤：

步骤S1、创建基于不同接线方式的高压侧主变保护校核模板、中压侧主变保护校核模板、低压侧主变保护校核模板；

步骤S2、导入变电站SCD文件，识别IED；

步骤S3、将主变保护虚拟为高压侧主变保护、中压侧主变保护和低压侧主变保护；

步骤S4、根据高压侧主变保护、中压侧主变保护、低压侧主变保护的接线方式，匹配高压侧主变保护校核模板、中压侧主变保护校核模板和中压侧主变保护校核模板；

步骤S5、合并高压侧主变保护校核模板、中压侧主变保护校核模板和低压侧主变保护校核模板，生成主变间隔虚端子校核模板。

2.根据权利要求1所述的一种解耦的主变虚端子校核方法，其特征在于：

每个主变保护校核模板只包括本侧主变保护和关联IED之间的虚连接。

3.根据权利要求1所述的一种解耦的主变虚端子校核方法，其特征在于：

所述高压侧主变保护校核模板包括：3/2接线方式、双母线接线、双母双分接线、双母单分接线、单母分段接线、单母线接线、单母三分段接线、内桥接线。

4.根据权利要求1所述的一种解耦的主变虚端子校核方法，其特征在于：

所述中压侧主变保护校核模板包括：双母线接线、双母双分接线、双母单分接线、单母分段接线、单母线接线、单母三分段接线、内桥接线。

5.根据权利要求1所述的一种解耦的主变虚端子校核方法，其特征在于：

所述低压侧主变保护校核模板包括：双母线接线、双母双分接线、双母单分接线、单母分段接线、单母线接线、单母三分段接线、内桥接线。

6.根据权利要求1所述的一种解耦的主变虚端子校核方法，其特征在于：

步骤S3中，高压侧主变保护与高电压等级接线方式一致，中压侧主变保护与中电压等级接线方式一致，低压侧主变保护与低电压等级接线方式一致。

7.根据权利要求1所述的一种解耦的主变虚端子校核方法，其特征在于：

步骤S4中，还包括判定不同电压等级的接线方式：

同电压等级具备断路器保护，则对应电压等级接线方式为3/2接线；

同电压等级具备备自投保护，则对应电压等级接线方式为内桥接线；

同电压等级具备2个同类型母联保护或者2个同类型母联智能终端且具备2个同类型母分保护或者2个同类型母分智能终端，则接线方式为双母双分；

同电压等级具备2个同类型母联保护或者2个同类型母联智能终端且具备1个同类型母分保护或者1个同类型母分智能终端，则接线方式为双母单分段；

同电压等级具备1个同类型母联保护或者1个同类型母联智能终端且不具备母分保护或者母分智能终端，则接线方式为双母线；

同电压等级具备0个同类型母联保护或者0个同类型母联智能终端且具备1个同类型母分保护或者1个同类型母分智能终端，则接线方式为单母分段；

同电压等级具备0个同类型母联保护或者0个同类型母联智能终端且具备2个同类型母分保护或者2个同类型母分智能终端，则接线方式为单母三分段；

同电压等级具备0个同类型母联保护或者0个同类型母联智能终端且具备0个同类型母分保护或者0个同类型母分智能终端，则接线方式为单母线。