[发明专利]一种解耦的主变虚端子校核方法

说明书

本发明公开了一种解耦的主变虚端子校核方法，包括：步骤S1、创建基于不同接线方式的高压侧主变保护校核模板、中压侧主变保护校核模板、低压侧主变保护校核模板；步骤S2、导入变电站SCD文件，识别IED；步骤S3、将主变保护虚拟为高压侧主变保护、中压侧主变保护和低压侧主变保护；步骤S4、根据高压侧主变保护、中压侧主变保护、低压侧主变保护的接线方式，匹配高压侧主变保护校核模板、中压侧主变保护校核模板和中压侧主变保护校核模板；步骤S5、合并高压侧主变保护校核模板、中压侧主变保护校核模板和低压侧主变保护校核模板，生成主变间隔虚端子校核模板。方案采用较少的校核模板适配不同电压等级的接线组合，显著提高了主变虚端子的校核效率。

技术领域

本发明涉及变电站运维调试技术领域，具体的，涉及一种解耦的主变虚端子校核方法。

背景技术

智能变电站SCD作为全站配置的重要文件，中间包括了各个IED之间的虚端子连接信息，包括采样回路虚端子、跳闸回路虚端子、合闸回路虚端子、联闭锁虚端子等。目前虚端子校核的策略主要集中在如何判断不同类型设备需要拉哪些虚端子，如何排查出错接、多接和漏接的情况。传统的继电保护等设备规范里面只定义了设备发送、接收具备哪些虚端子，并没有定义这些设备应该和哪些设关联哪些虚端子，因此通过规范无法做到排查虚端子错误的问题。

很多设备生产厂家通过制定标准虚端子校核模板的策略去校核现场实际SCD。在标准模板中制定不同电压等级、不同接线方式、不同设备类型的IED与关联IED的虚端子，通过校核现场SCD与标准虚端子模板是否一致来完成虚端子排查的目的。这种方法针对一个间隔只具备一种接线方式的情况，标准间隔模板具备通用性。但是对于主变间隔来说，主变高、中、低压侧对应的接线方式可能完全不一样，例如主变高压侧接线方式可能是：3/2接线方式、双母线接线、双母双分接线、双母单分接线、单母分段接线、单母线接线、单母三分段接线、内桥接线；主变中压侧接线方式可能是：双母线接线、双母双分接线、双母单分接线、单母分段接线、单母线接线、单母三分段接线、内桥接线；主变低压侧接线方式可能是：双母线接线、双母双分接线、双母单分接线、单母分段接线、单母线接线、单母三分段接线、内桥接线。因此如果为了满足测试需求，按照三卷变考虑，需要制定8*7*7种模板，才能满足变电站实际的主变接线方式需求，模板数量多，人工工作量大。

发明内容

本发明的目的是针对传统主变虚端子校核方式需要生成的模板众多、适配复杂的问题，提出一种解耦的主变虚端子校核方法，将主变保护虚拟为三种电压等级的主变保护，根据不同电压等级的接线方式获取对应的主变保护校核模板，将获取的对应主变保护校核模板进行合并得到主变间隔虚端子校核模板，该方法只需要制定8+7+7种模板，即可以适配任一种排列组合的主变接线方式，模板数量减少，人工工作量降低，显著提高了主变虚端子的校核效率。

本发明实施例中提供的一种技术方案是，一种解耦的主变虚端子校核方法，包括如下步骤：

步骤S1、创建基于不同接线方式的高压侧主变保护校核模板、中压侧主变保护校核模板、低压侧主变保护校核模板；

步骤S2、导入变电站SCD文件，识别IED；

步骤S3、将主变保护虚拟为高压侧主变保护、中压侧主变保护和低压侧主变保护；

步骤S4、根据高压侧主变保护、中压侧主变保护、低压侧主变保护的接线方式，匹配高压侧主变保护校核模板、中压侧主变保护校核模板和中压侧主变保护校核模板；

步骤S5、合并高压侧主变保护校核模板、中压侧主变保护校核模板和低压侧主变保护校核模板，生成主变间隔虚端子校核模板。

作为优选，每个主变保护校核模板只包括本侧主变保护和关联IED之间的虚连接。

作为优选，所述高压侧主变保护校核模板包括：3/2接线方式、双母线接线、双母双分接线、双母单分接线、单母分段接线、单母线接线、单母三分段接线、内桥接线。