[发明专利]一种LED芯片分选方法

权利要求书

1.一种LED芯片分选方法，其特征在于，所述分选方法包括：

步骤一，选取一外延片，并对所述外延片进行刻蚀，以露出所述外延片上的N型外延层；

步骤二，在所述N型外延层的表面沉积整面电流阻挡层，并在所述电流阻挡层上蒸镀一层整面透明导电膜；

步骤三，在所述电流阻挡层以及所述透明导电膜上制备金属电极，得到半成品晶圆片，并在所述半成品晶圆片上沉积一层钝化层，得到晶圆片；

步骤四，对所述晶圆片依次进行研磨及切割，得到若干单颗芯片晶粒，并将若干所述芯片晶粒附着在蓝膜上，然后对所述蓝膜进行扩膜处理；

步骤五，采用白膜贴附在所述蓝膜未附着在所述芯片晶粒上的部分，将附着在所述芯片晶粒上的所述蓝膜贴附在金属板上；

步骤六，将所述金属板放入具有丙酮蒸汽的宽型器内，以使所述丙酮蒸汽将所述芯片晶粒的沟道处液化，并溶解所述沟道处的胶质；

步骤七，将所述金属板从所述宽型器内取出，并吹扫所述金属板表面剩余的液态丙酮；

步骤八，卸去所述蓝膜上的所述白膜以及所述金属板，以使分选所述晶圆片。

2.根据权利要求1所述的LED芯片分选方法，其特征在于，在所述步骤一中，通过ICP等离子刻蚀在所述外延片进行刻蚀，并将所述外延片上的所述N型外延层形貌裸露。

3.根据权利要求1所述的LED芯片分选方法，其特征在于，在所述步骤二中，通过PECVD在所述N型外延层的表面沉积整面所述电流阻挡层，通过电子束蒸镀技术在所述电流阻挡层上蒸镀一层整面所述透明导电膜。

4.根据权利要求1所述的LED芯片分选方法，其特征在于，在所述步骤三中，通过PECVD在所述半成品晶圆片上沉积一层所述钝化层，所述钝化层的厚度为70nm-80nm，通过电子束蒸镀技术在所述电流阻挡层以及所述透明导电膜上制备所述金属电极。

5.根据权利要求1所述的LED芯片分选方法，其特征在于，所述金属电极由Cr、Al、Ti、Pt、Au 或Ti中的一种或多种制成。

6.根据权利要求1所述的LED芯片分选方法，其特征在于，在所述步骤四中，研磨后的所述晶圆片通过Laser切割的方式进行切割，得到若干单颗所述芯片晶粒。

7.根据权利要求1所述的LED芯片分选方法，其特征在于，在所述步骤四中，通过贴片倒模使所述芯片晶粒附着在所述蓝膜上。

8.根据权利要求1所述的LED芯片分选方法，其特征在于，在所述步骤六中，将丙酮放入提取瓶内，对所述提取瓶进行加热，以使所述丙酮变成所述丙酮蒸汽，并将所述丙酮蒸汽导入至所述宽型器内。

9.根据权利要求1所述的LED芯片分选方法，其特征在于，在所述步骤六中，所述金属板放入具有所述丙酮蒸汽的所述宽型器的时间为20s-45s。

10.根据权利要求1所述的LED芯片分选方法，其特征在于，在所述步骤七中，将所述金属板从所述宽型器内取出，并静置3min-8min，再通过热风枪吹扫所述金属板表面剩余的所述液态丙酮。