[发明专利]一种玻璃的孔金属化工艺在审
申请号: | 202310296653.8 | 申请日: | 2023-03-22 |
公开(公告)号: | CN116314011A | 公开(公告)日: | 2023-06-23 |
发明(设计)人: | 易伟华;张迅;刘松林;严伟勇;彭庆;边聪 | 申请(专利权)人: | 湖北通格微电路科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L33/00;H01L33/62 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 杨威 |
地址: | 431700 湖北省天门市经济*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 玻璃 金属化 工艺 | ||
1.一种玻璃的孔金属化工艺,其特征在于,包括以下步骤:
对玻璃依次进行上片前贴膜、孔金属化、预烤、撕膜、表面导电膏处理和固烤,包装后得到孔金属化的玻璃成品。
2.根据权利要求1所述的玻璃的孔金属化工艺,其特征在于,所述玻璃为厚玻璃或薄玻璃;所述厚玻璃的厚度为0.5mm~1.5mm;所述薄玻璃的厚度为0.08mm~0.20mm。
3.根据权利要求1所述的玻璃的孔金属化工艺,其特征在于,所述上片前贴膜的膜为高温PE膜。
4.根据权利要求1所述的玻璃的孔金属化工艺,其特征在于,所述孔金属化的过程按照自下而上依次为底座、玻璃、钢网的孔处理组合,通过刮刀对钢网进行刮涂。
5.根据权利要求4所述的玻璃的孔金属化工艺,其特征在于,所述钢网为只对图纹有效区开口的定位钢网。
6.根据权利要求5所述的玻璃的孔金属化工艺,其特征在于,所述定位钢网与底座呈20~40度角。
7.根据权利要求4所述的玻璃的孔金属化工艺,其特征在于,所述底座设置为与玻璃外形一致厚度的凹槽,再在图纹下方设置0.1~0.3mm凹槽,用于放上片前贴膜的膜。
8.根据权利要求1所述的玻璃的孔金属化工艺,其特征在于,所述预烤的温度为80℃~100℃,时间为20min~30min。
9.根据权利要求1所述的玻璃的孔金属化工艺,其特征在于,所述表面导电膏处理的过程具体为:
表面导电膏通过抛光的方式去除,第一步将玻璃放入抛光底座,第二步启动抛光将表面导电膏去除;抛光时间正反面30min~40min,抛光压力250KG~300KG;
或,
表面导电膏通过扫光的方式去除,第一步将玻璃放入扫光底座,第二步启动扫光将表面导电膏去除;扫光时间正反面30min~40min,扫光压力25KG~30KG。
10.根据权利要求1所述的玻璃的孔金属化工艺,其特征在于,所述固烤的温度为150℃~180℃,时间为50min~60min。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造