[发明专利]一种玻璃的孔金属化工艺在审
申请号: | 202310296653.8 | 申请日: | 2023-03-22 |
公开(公告)号: | CN116314011A | 公开(公告)日: | 2023-06-23 |
发明(设计)人: | 易伟华;张迅;刘松林;严伟勇;彭庆;边聪 | 申请(专利权)人: | 湖北通格微电路科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L33/00;H01L33/62 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 杨威 |
地址: | 431700 湖北省天门市经济*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 玻璃 金属化 工艺 | ||
本发明提供了一种玻璃的孔金属化工艺,包括以下步骤:对玻璃依次进行上片前贴膜、孔金属化、预烤、撕膜、表面导电膏处理和固烤,包装后得到孔金属化的玻璃成品。与现有技术相比,本发明提供的玻璃的孔金属化工艺,采用特定工艺步骤,实现整体较好的相互作用,能够适用于超薄玻璃的孔金属化,破片率低且导通效果好。实验结果表明,本发明提供的玻璃的孔金属化工艺,破片率低于2%;得到的孔金属化的超薄玻璃成品的导电阻值为1±0.9Ω,实现硬性及柔性miniled显示效果更加清晰,具有广阔的应用前景。
技术领域
本发明涉及孔金属化技术领域,更具体地说,是涉及一种玻璃的孔金属化工艺。
背景技术
玻璃通孔金属化分为通孔金属化和盲孔金属化。其中,对于盲孔,金属化后需要减薄工艺,露出金属柱,而玻璃比较脆,在减薄过程中容易引起孔或其他地方出现裂纹,甚至整个玻璃片碎裂;同时,由于玻璃比较致密,存在玻璃研磨速率慢、研磨困难等问题;另外,使用激光烧蚀的盲孔孔壁粗糙度较大,对盲孔金属化是一个严峻的挑战。而对于通孔,一般只在孔内壁制作薄层金属形成上下互连,而通孔金属化填实中容易出现空洞、孔金属不满等的问题,使孔金属质量差,可靠性低,且金属化完成后需要长时间的金属平坦化工艺,成本较高,影响转接板的可靠性问题和限制玻璃转接板的应用领域。
目前,现有技术中玻璃的孔金属化工艺主要存在以下不足:(1)0.1mm玻璃太薄容易破片,孔金属化破片率达80%;(2)玻璃孔间距密集0.2mm,底座治具镂空孔内导电膏不饱和导致无阻值。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的在于提供一种玻璃的孔金属化工艺,能够适用于超薄玻璃的孔金属化,破片率低且导通效果好。
本发明提供了一种玻璃的孔金属化工艺,包括以下步骤:
对玻璃依次进行上片前贴膜、孔金属化、预烤、撕膜、表面导电膏处理和固烤,包装后得到孔金属化的玻璃成品。
优选的,所述玻璃为厚玻璃或薄玻璃;所述厚玻璃的厚度为0.5mm~1.5mm;所述薄玻璃的厚度为0.08mm~0.20mm。
优选的,所述上片前贴膜的膜为高温PE膜。
优选的,所述孔金属化的过程按照自下而上依次为底座、玻璃、钢网的孔处理组合,通过刮刀对钢网进行刮涂。
优选的,所述钢网为只对图纹有效区开口的定位钢网。
优选的,所述定位钢网与底座呈20~40度角。
优选的,所述底座设置为与玻璃外形一致厚度的凹槽,再在图纹下方设置0.1~0.3mm凹槽,用于放上片前贴膜的膜。
优选的,所述预烤的温度为80℃~100℃,时间为20min~30min。
优选的,所述表面导电膏处理的过程具体为:
表面导电膏通过抛光的方式去除,第一步将玻璃放入抛光底座,第二步启动抛光将表面导电膏去除;抛光时间正反面30min~40min,抛光压力250KG~300KG;
或,
表面导电膏通过扫光的方式去除,第一步将玻璃放入扫光底座,第二步启动扫光将表面导电膏去除;扫光时间正反面30min~40min,扫光压力25KG~30KG。
优选的,所述固烤的温度为150℃~180℃,时间为50min~60min。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造