[发明专利]太阳电池及其制备方法

权利要求书

1.一种太阳电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

采用含有酸性试剂和臭氧的第一处理液对微晶硅片进行表面清洗，以去除所述微晶硅片表面上的有机物脏污和杂质；

对表面清洗后的所述微晶硅片进行钝化处理，以在所述微晶硅片的表面形成磷硅玻璃层，得到第一微晶硅片中间体；

采用含有碱性试剂的粗抛处理液对所述第一微晶硅片中间体进行粗抛处理，以去除所述磷硅玻璃层，得到第二微晶硅片中间体；

对所述第二微晶硅片中间体进行制绒，以在所述第二微晶硅片中间体的表面形成金字塔绒面，得到制绒微晶硅片；

在所述制绒微晶硅片上制备非晶硅薄膜；

在所述非晶硅薄膜上制备透明导电薄膜；以及

在所述透明导电薄膜上制备电极。

2.如权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，对微晶硅片进行钝化处理具体包括以下步骤：

通过等离子体增强化学气相沉积的方法对所述微晶硅片进行钝化处理。

3.如权利要求2所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，通过等离子体增强化学气相沉积的方法对所述微晶硅片进行钝化处理具体包括以下步骤：

将所述微晶硅片放置在反应腔室内，并向所述反应腔室充入源气体；

对所述源气体进行电离以生成等离子体，使所述等离子体与所述微晶硅片进行反应，并控制所述反应腔室的温度为第一预定温度；以及

将所述反应腔室的温度调整为第二预定温度，以对所述微晶硅片进行恒温退火。

4.如权利要求3所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述源气体包括磷源气体、氧气以及硅源气体，所述制备方法包括以下(1)～(2)中的至少一项：

(1)充入所述反应腔室内的所述磷源气体、所述氧气和所述硅源气体的体积比为1:(5～7):(4～6)；

(2)所述磷源气体包括磷烷，所述硅源气体包括硅烷。

5.如权利要求3所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下(1)～(3)中的至少一项：

(1)所述第一预定温度为450℃～550℃；

(2)所述第二预定温度为100～200℃；

(3)所述恒温退火的时间为30min～60min。

6.如权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述酸性试剂包括氢氟酸，所述第一处理液的制备方法包括以下步骤：

将浓度为45％～55％的氢氟酸和水以(20～30):(1000～1100)的体积比进行混合，得到第一混合溶液；以及

向所述第一混合溶液中注入臭氧，并控制所述臭氧在所述第一混合溶液中的浓度为30ppm～40ppm，得到所述第一处理液。

7.如权利要求1至6中任一项所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，对所述第二微晶硅片中间体进行制绒具体包括以下步骤：

将浓度为35％～40％的氢氧化钠溶液、浓度为20％～35％的成核添加剂和水以(3～6):1:(350～380)的体积比进行混合，得到制绒液；以及

将所述第二微晶硅片中间体放置在所述制绒液中进行制绒，并保持400s～480s，以在所述第二微晶硅片中间体的表面形成所述金字塔绒面，并控制所述金字塔绒面的尺寸为1μm～2μm，得到所述制绒微晶硅片。

8.如权利要求1至6中任一项所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，在得到所述制绒微晶硅片之后，且在制备所述非晶硅薄膜之前，所述制备方法包括以下步骤：

将浓度为30％～40％的盐酸、浓度为45％～55％的氢氟酸和水以1:(16～20):(900～950)的体积比进行混合，得到第二混合溶液；

向所述第二混合溶液中注入臭氧，并控制所述臭氧在所述第二混合溶液中的浓度为60ppm～70ppm，得到第二处理液；以及

将所述制绒微晶硅片放置在所述第二处理液中，并处理320s～400s，以对所述制绒微晶硅片进行平整处理。