[发明专利]太阳电池及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202310302551.2 申请日: 2023-03-24
公开(公告)号: CN116207186A 公开(公告)日: 2023-06-02
发明(设计)人: 高永强 申请(专利权)人: 通威太阳能(安徽)有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/20;H01L31/0236;H01L31/0224;H01L31/0352;H01L31/0368;H01L31/0376;H01L31/0747
代理公司: 华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 汪贝贝
地址: 230031 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 太阳电池 及其 制备 方法
【说明书】:

发明提供了一种太阳电池的制备方法,包括以下步骤:对微晶硅片进行表面清洗,以去除所述微晶硅片表面上的有机物脏污和杂质;对表面清洗后的所述微晶硅片进行钝化处理,以在所述微晶硅片的表面形成磷硅玻璃层,得到第一微晶硅片中间体;采用含有碱性试剂的粗抛处理液对所述第一微晶硅片中间体进行粗抛处理,以去除所述磷硅玻璃层,得到第二微晶硅片中间体;对所述第二微晶硅片中间体进行制绒,以在所述第二微晶硅片中间体的表面形成金字塔绒面,得到制绒微晶硅片;在所述制绒微晶硅片上制备非晶硅薄膜;在所述非晶硅薄膜上制备透明导电薄膜;在所述透明导电薄膜上制备电极。本发明能够提高太阳电池的转换效率。本发明还提供一种太阳电池。

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域,特别是涉及一种太阳电池及其制备方法。

背景技术

异质结太阳能电池,又称HJT电池(Hereto-junction with Intrinsic Thin-layer),由于具有较高的转换效率和较高的发电量,目前已经得到广泛应用。其中,微晶硅片的制绒清洗为制备异质结太阳能电池一个必不可少的工艺。目前,微晶硅片的制绒清洗工艺通常为:粗抛→制绒→清洗→烘干。其中,粗抛是为了去除微晶硅片内部的金属杂质、微缺陷和晶格位错,并同时去除微晶硅片表面的损伤,制绒是为了在微晶硅片的表面形成金字塔绒面。

然而,粗抛和制绒均会导致微晶硅片减薄严重,当微晶硅片为超薄微晶硅片时,容易引起超薄微晶硅片出现碎片以及叠片的问题,降低了制备得到的制绒微晶硅片的良率。另外,由于超薄微晶硅片减薄严重,也降低了后续由该制绒微晶硅片制备的太阳电池的转换效率。

发明内容

基于此,有必要提供一种能够提高转换效率的太阳电池的制备方法。

本发明至少一实施例提供了一种太阳电池的制备方法,包括以下步骤:

采用含有酸性试剂和臭氧的第一处理液对微晶硅片进行表面清洗,以去除所述微晶硅片表面上的有机物脏污和杂质;

对表面清洗后的所述微晶硅片进行钝化处理,以在所述微晶硅片的表面形成磷硅玻璃层,得到第一微晶硅片中间体;

采用含有碱性试剂的粗抛处理液对所述第一微晶硅片中间体进行粗抛处理,以去除所述磷硅玻璃层,得到第二微晶硅片中间体;

对所述第二微晶硅片中间体进行制绒,以在所述第二微晶硅片中间体的表面形成金字塔绒面,得到制绒微晶硅片;

在所述制绒微晶硅片上制备非晶硅薄膜;

在所述非晶硅薄膜上制备透明导电薄膜;以及

在所述透明导电薄膜上制备电极。

在其中一些实施例中,对微晶硅片进行钝化处理具体包括以下步骤:

通过等离子体增强化学气相沉积的方法对所述微晶硅片进行钝化处理。

在其中一些实施例中,通过等离子体增强化学气相沉积的方法对所述微晶硅片进行钝化处理具体包括以下步骤:

将所述微晶硅片放置在反应腔室内,并向所述反应腔室充入源气体;

对所述源气体进行电离以生成等离子体,使所述等离子体与所述微晶硅片进行反应,并控制所述反应腔室的温度为第一预定温度;以及

将所述反应腔室的温度调整为第二预定温度,以对所述微晶硅片进行恒温退火。

在其中一些实施例中,所述源气体包括磷源气体、氧气以及硅源气体,所述制备方法包括以下(1)~(2)中的至少一项:

(1)充入所述反应腔室内的所述磷源气体、所述氧气和所述硅源气体的体积比为1:(5~7):(4~6);

(2)所述磷源气体包括磷烷,所述硅源气体包括硅烷。

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