[发明专利]一种高耐热性电解铜箔及其制备方法在审
申请号: | 202310302933.5 | 申请日: | 2023-03-23 |
公开(公告)号: | CN116288548A | 公开(公告)日: | 2023-06-23 |
发明(设计)人: | 王朋举;明智耀;虞靖;肖永祥;施玉林;明荣桂 | 申请(专利权)人: | 江苏铭丰电子材料科技有限公司 |
主分类号: | C25D1/04 | 分类号: | C25D1/04;C25D3/38 |
代理公司: | 北京睿智保诚专利代理事务所(普通合伙) 11732 | 代理人: | 董大媛 |
地址: | 213341 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 耐热性 电解 铜箔 及其 制备 方法 | ||
本发明属于铜箔技术领域,公开了一种高耐热性电解铜箔及其制备方法。本发明首先在含有添加剂的电解液中进行电解,得到电解铜箔;然后将电解铜箔依次进行酸洗和粗化处理,得到粗化电解铜箔;再于粗化电解铜箔表面依次进行黑化处理、耐热处理、钝化处理、偶联剂处理,得到高耐热性电解铜箔。本发明通过优化电解铜箔电解过程中的添加剂以及电解条件,制得的电解铜箔具有良好的耐热性以及延伸性,在加工过程中具有良好的稳定性。并且,本发明还结合黑化处理、耐热处理、钝化处理,大大提高了电解铜箔的耐热性以及耐氧化性,满足高性能印刷电路板的制备需求,且表面进行的硅烷偶联剂处理还可增加电解铜箔与基底的粘结性。
技术领域
本发明涉及铜箔技术领域,尤其涉及一种高耐热性电解铜箔及其制备方法。
背景技术
随着电子信息技术的发展,电子元器件应用的领域越来越广泛,对于电子元器件的性能要求也越来越高。印制电路板(PCB)作为电子元器件电气连接的提供者,在电子行业中占据了重要地位。金属铜由于具有良好的导电性,可以携带电荷而不丢失信号,由其制成的金属箔作为印制电路板的重要组成部分决定着信号传输的性能。
目前,印制电路板要求具有更高的尺寸稳定性、更小的介电损耗以及介电常数,这就需要电解铜箔具有更高的性能,尤其是对于耐热性以及耐氧化性的要求。然而目前电解铜箔的生产方法制备的电解铜箔并不能满足耐热性的要求,通常依赖于进口铜箔。因此,开发一种具有高耐热性能的电解铜箔对电子行业的快速发展具有重要意义。
发明内容
本发明的目的在于提供一种高耐热性电解铜箔及其制备方法,解决现有电解铜箔耐热性以及耐氧化性较差的问题。
为了实现上述发明目的,本发明提供以下技术方案:
本发明提供了一种高耐热性电解铜箔的制备方法,包括以下步骤:
(1)在含有添加剂的电解液中进行电解,得到电解铜箔;
(2)将电解铜箔依次进行酸洗和粗化处理,得到粗化电解铜箔;
(3)在粗化电解铜箔表面依次进行黑化处理、耐热处理、钝化处理、偶联剂处理,得到高耐热性电解铜箔。
优选的,在上述一种高耐热性电解铜箔的制备方法中,所述步骤(1)中含有添加剂的电解液中铜离子80~100g/L,硫酸100~200g/L,氯离子10~15mg/L,十二烷基苯磺酸钠10~30mg/L,聚丙烯酰胺10~40mg/L,明胶50~100mg/L,硫脲1~8mg/L,聚二硫二丙烷磺酸钠1~20mg/L。
优选的,在上述一种高耐热性电解铜箔的制备方法中,所述步骤(1)中电解的条件为:温度为40~70℃,电流密度为60~80A/dm2,流量为40~50m3/h。
优选的,在上述一种高耐热性电解铜箔的制备方法中,所述步骤(2)中粗化处理的条件为:电解液为硫酸铜10~30g/L,硫酸100~200g/L;电流密度为10~25A/dm2;时间为10~20s。
优选的,在上述一种高耐热性电解铜箔的制备方法中,所述步骤(3)中黑化处理的条件为:电解液为硫酸铜1~10g/L,醋酸钴1~5g/L,柠檬酸钠40~100g/L,乙二胺30~50g/L,pH值为5~6;电流密度为3~10A/dm2;时间为1~15s。
优选的,在上述一种高耐热性电解铜箔的制备方法中,所述步骤(3)中耐热处理的条件为:电解液为硫酸镍10~20g/L,氯化锌5~20g/L,氯化铵40~70g/L,硼酸20~50g/L,pH值为4~5.5;电流密度为1~7A/dm2;时间为1~20s。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏铭丰电子材料科技有限公司,未经江苏铭丰电子材料科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202310302933.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:基于级联深度神经网络的边框目标图像对齐方法
- 下一篇:发光装置