[发明专利]三维扇出封装结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202310309927.2 | 申请日： | 2023-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN116581092A | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | 马书英;赵艳娇;付东之 | 申请（专利权）人： | 华天科技（昆山）电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/485;H01L21/56;H01L23/48 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 马振华 |
| 地址： | 215300 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 三维 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
1.三维扇出封装结构，其特征在于，包括：
芯片，所述芯片上制作有焊盘；
铜箔，所述芯片通过胶膜与铜箔粘连；
塑封体，所述塑封体将芯片及胶膜封装在内部，且塑封体上还制造有铜柱；
第一RDL线路层，所述第一RDL线路层制作在塑封体的其中一面上，并在第一RDL线路层上制作植球；
第二RDL线路层，所述第二RDL线路层制作在塑封体的另一面上，并在第二RDL线路层上制作植球，所述铜箔作为第二RDL线路层的线路。
2.根据权利要求1所述的三维扇出封装结构，其特征在于，所述第二RDL线路层有一层以上。
3.三维扇出封装结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：采用胶膜将芯片粘接到铜箔上；
S2：采用塑封体对芯片和胶膜进行封装；
S3：通过激光钻孔的方式在塑封体上形成通孔，再通过电镀的方式对通孔处进行金属化填充形成导电铜柱；
S4：对塑封体进行减薄加工，使得芯片上的焊盘露出；
S5：在塑封体表面制作第一RDL线路层，并在第一RDL线路层上形成焊盘；
S6：以铜箔作为种子层材料，在塑封体的另一面制作第二RDL线路层，并在第二RDL线路层上形成焊盘，其中铜箔作为RDL线路层的线路；
S7：在第一RDL线路层、第二RDL线路层上的焊盘上均制作植球。
4.根据权利要求3所述的三维扇出封装结构的制造方法，其特征在于，所述S1中胶膜采用DAF膜。
5.根据权利要求3所述的三维扇出封装结构的制造方法，其特征在于，所述S6中第二RDL线路层有一层以上，铜箔作为最内层的线路。
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