[发明专利]三维扇出封装结构及其制造方法

说明书

本发明公开了三维扇出封装结构及其制造方法，所述结构包括：芯片，所述芯片上制作有焊盘；铜箔，所述芯片通过胶膜与铜箔粘连；塑封体，所述塑封体将芯片及胶膜封装在内部，且塑封体上还制造有铜柱；第一RDL线路层，所述第一RDL线路层制作在塑封体的其中一面上，并在第一RDL线路层上制作植球；第二RDL线路层，所述第二RDL线路层制作在塑封体的另一面上，并在第二RDL线路层上制作植球，所述铜箔作为第二RDL线路层的线路。本发明中铜箔直接作为RDL线路层的线路，无需通过PVD、光刻、电缆的工艺制成；同时采用DAF膜将芯片和铜箔进行粘接，无需采用临时键合胶以及拆解键合胶的制成，可进一步降低成本。

技术领域：

本发明属于半导体封装技术领域，特别涉及三维扇出封装结构及其制造方法。

背景技术：

随着半导体行业向着高度集成化、高度性能化的方向发展，三维集成电路应运而生。利用TMV(塑封通孔技术)可以进一步缩小封装的面积，加大容量以及增加功能，此工艺需要对晶圆进行减薄，当晶圆减薄后，在后续的制程中很容易发生破裂，同时容易产生翘曲以及应力，因此需要采用一种技术进行加工，即临时键合技术。

临时键合技术多采用临时键合胶等聚合物材料进行临时键合，采用加热，激光以及化学反应等工艺使得临时键合胶固化，而临时键合技术还存在如下不足：用于临时键合的主要耗材为粘合剂(紫外激光解键合材料或者红外激光解键合材料)和玻璃基底，这两项耗材成本占总成本较高，粘合剂的应力也比较大；为了给晶圆边缘提供足够的支撑力，临时键合胶的涂胶面积需要大于晶圆的面积，键合过后，晶圆的边缘会有键合胶溢出，会对后续制程产生极大的影响；临时键合胶在加工过程中可能会受到药液的腐蚀，产生peeling(剥落)；对晶圆进行解键合时间长，成本增加。

因此，通过探索研究新工艺、新材料来解决临时键合工艺成本是整个行业急需解决的问题。

公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在增加对本发明的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。

发明内容：

本发明的目的在于提供三维扇出封装结构及其制造方法，从而克服上述现有技术中的缺陷。

为了实现上述目的，本发明提供了三维扇出封装结构，包括：

芯片，所述芯片上制作有焊盘；

铜箔，所述芯片通过胶膜与铜箔粘连；

塑封体，所述塑封体将芯片及胶膜封装在内部，且塑封体上还制造有铜柱；

第一RDL线路层，所述第一RDL线路层制作在塑封体的其中一面上，并在第一RDL线路层上制作植球；

第二RDL线路层，所述第二RDL线路层制作在塑封体的另一面上，并在第二RDL线路层上制作植球，所述铜箔作为第二RDL线路层的线路。

进一步的，作为优化，所述第二RDL线路层有一层以上。

本发明还提供三维扇出封装结构的制造方法，包括以下步骤：

S1：采用胶膜将芯片粘接到铜箔上；

S2：采用塑封体对芯片和胶膜进行封装；

S3：通过激光钻孔的方式在塑封体上形成通孔，再通过电镀的方式对通孔处进行金属化填充形成导电铜柱；

S4：对塑封体进行减薄加工，使得芯片上的焊盘露出；

S5：在塑封体表面制作第一RDL线路层，并在第一RDL线路层上形成焊盘；

S6：以铜箔作为种子层材料，在塑封体的另一面制作第二RDL线路层，并在第二RDL线路层上形成焊盘，其中铜箔作为RDL线路层的线路；