[发明专利]一种晶圆及其晶圆减薄制程加工工艺

权利要求书

1.一种晶圆减薄制程加工工艺，其特征在于，包括：

对晶圆进行修边工艺；

对载片进行激光开槽，在载片正面形成深槽；

对晶圆进行键合胶涂覆并进行洗边；

对晶圆和载片进行临时键合工艺；

对晶圆进行第一次减薄处理；

对减薄后的晶圆和载片进行解键合工艺；

对减薄后的晶圆进行键合胶涂覆并进行洗边；

对减薄后的晶圆和载片进行临时键合工艺；

对减薄晶圆进行第二次减薄处理。

2.根据权利要求1所述的晶圆减薄制程加工工艺，其特征在于，对晶圆进行多次台阶式修边方式，修边总深度大于或等于减薄总深度。

3.根据权利要求1所述的晶圆减薄制程加工工艺，其特征在于，对晶圆进行第一次减薄处理时，减薄厚度为总减薄厚度的85~95%。

4.根据权利要求1或3所述的晶圆减薄制程加工工艺，其特征在于，第一次减薄处理采用多制程方式进行，步骤包括：

对晶圆进行初次减薄，初次减薄厚度为第一次减薄厚度的80~85%；

对晶圆进行再次减薄，再次减薄厚度为第一次减薄厚度的15~20%；

对晶圆进行抛光处理。

5.根据权利要求1所述的晶圆减薄制程加工工艺，其特征在于，对晶圆进行第一次减薄处理和解键合处理之间还对晶圆进行低温退火处理。

6.根据权利要求5所述的晶圆减薄制程加工工艺，其特征在于，低温退火处理的温度低于键合胶融化温度。

7.根据权利要求1所述的晶圆减薄制程加工工艺，其特征在于，对晶圆进行第二次减薄处理时，减薄厚度为总减薄厚度的5~15%。

8.根据权利要求1或7所述的晶圆减薄制程加工工艺，其特征在于，第二次减薄处理采用多制程方式进行，步骤包括：

对晶圆进行初次减薄，初次减薄厚度为第二次减薄厚度的80~85%；

对晶圆进行再次减薄，再次减薄厚度为第二次减薄厚度的15~20%；

对晶圆进行抛光处理。

9.根据权利要求1所述的晶圆减薄制程加工工艺，其特征在于，对晶圆进行解键合处理和洗边处理之间还对晶圆进行清洗处理。

10.一种根据权利要求1-9任一项所述的晶圆减薄制程加工工艺制备得到的晶圆。