[发明专利]一种晶圆及其晶圆减薄制程加工工艺

说明书

本发明公开了一种晶圆及其晶圆减薄制程加工工艺，属于半导体加工技术领域。本发明提供的晶圆减薄制程加工工艺，包括：对晶圆进行修边工艺；对载片进行激光开槽，在载片正面形成深槽；对晶圆进行键合胶涂覆并进行洗边；对晶圆和载片进行临时键合工艺；对晶圆进行第一次减薄处理；对减薄后的晶圆和载片进行解键合工艺；对减薄后的晶圆进行键合胶涂覆并进行洗边；对减薄后的晶圆和载片进行临时键合工艺；对减薄晶圆进行第二次减薄处理。本发明提供的晶圆减薄制程加工工艺，采用激光开槽、多次临时键合与减薄结合的形式，防止晶圆在减薄过程中出现碎片以及键合胶层严重变薄现象，保证制程的稳定性和重复性。

技术领域

本发明涉及半导体加工技术领域，具体涉及一种晶圆及其晶圆减薄制程加工工艺。

背景技术

随着半导体功率器件更新迭代，作为三代半导体代表的碳化硅(SiliconCarbide，SiC)材料凭借其宽禁带、高电子迁移率以及高热导性正逐渐在功率器件领域被广泛应用。而在功率器件制造领域，其往往要进行晶圆的背面工艺制程。而传统的单片晶圆背面工艺制程往往对晶圆正面产生一定影响，因此需要在背面工艺制程前对晶圆进行键合，从而对晶圆的正面进行保护。

传统的碳化硅晶圆减薄工艺，是采用晶圆加UV膜或热感应膜形式进行单片减薄。而采用上述方式会在减薄后由于内应力的产生导致碳化硅晶圆出现较大的翘曲。因此，晶圆键合加减薄的背面制程方式应运而生。而在传统的晶圆临时键合减薄工艺中，由于减薄下压应力的存在，会将键合胶层变薄，最终导致减薄厚度出现偏差，影响制程的稳定性。

发明内容

本发明的目的在于提供一种晶圆及其晶圆减薄制程加工工艺，以解决现有传统的晶圆临时键合减薄工艺中，由于减薄下压应力的存在，会将键合胶层变薄，最终导致减薄厚度出现偏差，影响制程的稳定性的问题。

本发明解决上述技术问题的技术方案如下：

本发明提供一种晶圆减薄制程加工工艺，包括：

对晶圆进行修边工艺；

对载片进行激光开槽，在载片正面形成深槽；

对晶圆进行键合胶涂覆并进行洗边；

对晶圆和载片进行临时键合工艺；

对晶圆进行第一次减薄处理；

对减薄后的晶圆和载片进行解键合工艺；

对减薄后的晶圆进行键合胶涂覆并进行洗边；

对减薄后的晶圆和载片进行临时键合工艺；

对减薄晶圆进行第二次减薄处理。

进一步地，在所述的晶圆减薄制程加工工艺中，对晶圆进行多次台阶式修边方式，修边总深度大于或等于减薄总深度。

进一步地，在所述的晶圆减薄制程加工工艺中，对晶圆进行第一次减薄处理，减薄厚度为总减薄厚度的85~95%。

进一步地，在所述的晶圆减薄制程加工工艺中，第一次减薄处理采用多制程方式进行，步骤包括：

对晶圆进行初次减薄，初次减薄厚度为第一次减薄厚度的80~85%；

对晶圆进行再次减薄，再次减薄厚度为第一次减薄厚度的15~20%；

对晶圆进行抛光处理。

进一步地，在所述的晶圆减薄制程加工工艺中，对晶圆进行第一次减薄处理和解键合处理之间还对晶圆进行低温退火处理。

进一步地，在所述的晶圆减薄制程加工工艺中，低温退火处理的温度低于键合胶融化温度。

进一步地，在所述的晶圆减薄制程加工工艺中，对晶圆进行第二次减薄处理，减薄厚度为总减薄厚度的5~15%。