[发明专利]超结结构、半导体器件结构及其制备方法

权利要求书

1.一种超结结构，其特征在于，包括：

沿厚度方向交替层叠的第一导电类型的外延层和第二导电类型的外延层；

多个第一沟槽，位于所述第一导电类型的外延层内；多个所述第一沟槽沿第一方向间隔排布，且各所述第一沟槽均沿第二方向延伸；

第二导电类型的填充外延层，位于所述第一沟槽内；

多个第二沟槽，位于所述第二导电类型的外延层内；多个所述第二沟槽沿所述第二方向间隔排布，且各所述第二沟槽均沿所述第一方向延伸；

第一导电类型的填充外延层，位于所述第二沟槽内。

2.根据权利要求1所述的超结结构，其特征在于，

所述第一导电类型包括N型，且所述第二导电类型包括P型；或

所述第一导电类型包括P型，且所述第二导电类型包括N型。

3.根据权利要求1所述的超结结构，其特征在于，所述第一沟槽沿厚度方向贯穿所述第一导电类型的外延层；所述第二沟槽沿厚度方向贯穿所述第二导电类型的外延层。

4.根据权利要求1所述的超结结构，其特征在于，

相邻所述第一沟槽之间的所述第一导电类型的外延层的宽度，与所述第一沟槽的宽度相等；

相邻所述第二沟槽之间的所述第二导电类型的外延层的宽度，与所述第二沟槽的宽度相等。

5.根据权利要求1所述的超结结构，其特征在于，所述超结结构的底层和顶层均为所述第一导电类型的外延层。

6.一种超结结构的制备方法，其特征在于，包括：

形成第一导电类型的外延层；

于所述第一导电类型的外延层内形成多个第一沟槽，多个所述第一沟槽沿第一方向间隔排布，且各所述第一沟槽均沿第二方向延伸；

形成第二导电类型的填充外延层及第二导电类型的外延层，所述第二导电类型的填充外延层位于所述第一沟槽内，所述第二导电类型的外延层覆盖所述第一导电类型的外延层的上表面及所述第二导电类型的填充外延层的上表面；

于所述第二导电类型的外延层内形成多个第二沟槽，多个所述第二沟槽沿所述第二方向间隔排布，且各所述第二沟槽均沿所述第一方向延伸；

于所述第二沟槽内形成第一导电类型的填充外延层。

7.根据权利要求6所述的超结结构的制备方法，其特征在于，所述于所述第二沟槽内形成第一导电类型的填充外延层之后，还包括：

于所述第二导电类型的外延层的上表面及所述第一导电类型的填充外延层的上表面形成又一第一导电类型的外延层；

于上一步骤中形成的所述第一导电类型的外延层内形成多个第一沟槽，该步骤中的多个所述第一沟槽沿第一方向间隔排布，且各所述第一沟槽均沿第二方向延伸；

于上一步骤中形成的所述第一沟槽内形成第二导电类型的填充外延层。

8.根据权利要求7所述的超结结构的制备方法，其特征在于，所述于所述第二沟槽内形成第一导电类型的填充外延层之后，于所述第二导电类型的外延层的上表面及所述第一导电类型的填充外延层的上表面形成又一第一导电类型的外延层之前，还包括：

重复上述步骤若干次。

9.一种半导体器件结构，其特征在于，包括：

衬底；

如权利要求1～5中任一种所述的超结结构，位于所述衬底的上表面，所述衬底的下表面形成有漏区；

顶层外延层，位于所述超结结构的上表面；所述顶部外延层内形成有源区；

栅极结构，位于所述顶层外延层的上表面或延伸至所述顶层外延层内，所述栅极结构沿所述第二方向延伸；所述源区位于所述栅极结构相对的两侧；

覆盖介质层，位于所述顶层外延层的上表面，且覆盖所述栅极结构。

10.一种半导体器件结构的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

采用如权利要求6至8中任一项所述的超结结构的制备方法于所述衬底的上表面制备所述超结结构；

于所述超级结构的上表面形成顶层外延层；

于所述顶层外延层的上表面或所述顶层外延层内形成栅极结构，所述栅极结构沿所述第二方向延伸；

于所述顶层外延层内形成源区，所述源区位于所述栅极结构相对的两侧；

于所述顶层外延层的上表面形成覆盖介质层，所述覆盖介质层覆盖所述栅极结构；

于所述衬底的下表面形成漏区。