[发明专利]液面温度测量方法、装置、计算机设备和存储介质

说明书

本申请涉及一种液面温度测量方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：获取待识别液面图像，所述待识别液面图像包括光圈和所述光圈上的熔点；将所述待识别液面图像输入至预先训练好的特征提取模型，得到光圈特征和熔点特征；将所述光圈特征和熔点特征输入至预先训练好的数据分析模型，得到基于所述熔点特征的第一温度测量结果，以及基于所述光圈特征和所述熔点特征的第二温度测量结果；基于所述第一温度测量结果和所述第二温度测量结果确定综合温度测量结果。采用本方法能够可以实现对液面温度的准确测量，达到提高液面温度测量准确率的效果。

技术领域

本申请涉及单晶炉技术领域，特别是涉及一种液面温度测量方法、装置、计算机设备和存储介质。

背景技术

单晶硅是新能源及芯片产业的基础材料之一，在单晶硅的生产工艺中，液面温度值是影响成晶质量的关键因素之一。

引晶需要在溶液的液面温度达到熔接温度后进行，然而由于单晶硅生产工艺的特殊性，液面温度值无法通过普通的温度传感器进行测量。目前主流的测量方式是通过替代的测量方式，例如通过CCD相机进行像素分析得到温度值，或是由操作人员根据实际经验观测引晶特征的出现，并对测量值进行测量偏差的校准。可见，替代的测量方式存在偏差，而人工校准又由于时间和经验的影响，存在及时率低、标准不统一的问题。

可见，目前的液面温度测量方式仍存在温度测量准确率低的问题。

发明内容

基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够提高液面温度测量准确率的液面温度测量方法、装置、计算机设备和存储介质。

第一个方面，本实施例提供了一种液面温度测量方法，所述方法包括：

获取待识别液面图像，所述待识别液面图像包括光圈和所述光圈上的熔点；

将所述待识别液面图像输入至预先训练好的特征提取模型，得到光圈特征和熔点特征；

将所述光圈特征和熔点特征输入至预先训练好的数据分析模型，得到基于所述熔点特征的第一温度测量结果，以及基于所述光圈特征和所述熔点特征的第二温度测量结果；

基于所述第一温度测量结果和所述第二温度测量结果确定综合温度测量结果。

在其中一个实施例中，所述将所述待识别液面图像输入至预先训练好的特征提取模型还包括：

将所述待识别液面图像输入至预先训练好的分割模型，得到光圈图像；

将所述光圈图像输入至所述预先训练好的特征提取模型。

在其中一个实施例中，所述熔点分为低温熔点、正常熔点和高温熔点三个类别，所述正常熔点为预设温度范围内的熔点；所述数据分析模型还用于：

基于所述熔点特征确定所述熔点的类别；

基于所述熔点的类别确定第一温度测量结果。

在其中一个实施例中，所述基于所述熔点的类别确定第一温度测量结果包括：

若所述熔点为正常熔点，则当前液面温度达到预设温度值；若所述熔点为低温熔点或高温熔点，则当前液面温度未达到预设温度值。

在其中一个实施例中，所述基于所述第一温度测量结果和所述第二温度测量结果确定综合温度测量结果包括：

若所述第一温度测量结果和所述第二温度测量结果均为达到预设温度值，则确定所述综合温度测量结果为当前温度值达到预设温度值。

在其中一个实施例中，所述数据分析模型还用于基于所述熔点特征和光圈特征确定当前的引晶条件符合情况；

所述基于所述第一温度测量结果和所述第二温度测量结果确定综合温度测量结果之后还包括：