[发明专利]一种沟槽型MOSFET器件的制造方法

权利要求书

1.一种沟槽型MOSFET器件的制造方法，其特征在于，在高掺杂N型半导体基底上生长低浓度N-外延层；在低浓度N-外延层上形成P型区作为源区，贯穿源区至P型区的内部形成沟槽，所述沟槽以及底面不到达外延层；在沟槽底面形成N型区，掺杂浓度等于或者大于外延层掺杂浓度，在沟槽侧壁以及沟槽底表面生长绝缘薄膜，绝缘薄膜上是多晶硅膜制成的栅电极，栅电极上是层间绝缘膜；在包括所述层间绝缘膜上的基极区域上及源极区域上有与源极区域和基极区域电连接的源电极；在基底的背面生长金属形成漏极电极；栅电极与栅极端子TG电连接，源电极与源极端子TS电连接，漏电极与漏极端子TD电连接。

2.根据权利要求1所述沟槽型的MOSFET器件，其特征在于，所述低浓度外延层的厚度为3μm。

3.根据权利要求1所述沟槽型的MOSFET器件，其特征在于，所述P型区的深度为2μm。

4.根据权利要求1所述沟槽型的MOSFET器件，其特征在于，所述源区厚度为0.3μm至0.4μm。

5.根据权利要求1所述沟槽型的MOSFET器件，其特征在于，所述沟槽深度为1.7~1.8μm。

6.根据权利要求1所述沟槽型的MOSFET器件，其特征在于，所述的高掺杂，其掺杂浓度为1E18~1E19/㎝³。

7.根据权利要求1所述沟槽型的MOSFET器件，其特征在于，所述外延层的掺杂浓度为2E15/㎝³。

8.根据权利要求1所述沟槽型的MOSFET器件，其特征在于，所述N型区厚度约为0.3~0.5μm，掺杂浓度为2E15~3E15/㎝³。

9.根据权利要求1所述沟槽型的MOSFET器件，其特征在于，所述绝缘薄膜为二氧化硅薄膜，厚度为500-1000埃。

10.根据权利要求1所述沟槽型的MOSFET器件，其特征在于，所述层间绝缘膜为BPSG膜或者USG膜或者SIN与BPSG的复合膜，厚度为0.6μm至1μm。