[发明专利]一种晶体生长炉反射加热器在审
申请号: | 202310362088.0 | 申请日: | 2023-04-07 |
公开(公告)号: | CN116377598A | 公开(公告)日: | 2023-07-04 |
发明(设计)人: | 吴玉珍;刘家元;李明辉;姚吉勇 | 申请(专利权)人: | 徐州宏晶新材料科技有限公司 |
主分类号: | C30B35/00 | 分类号: | C30B35/00;F27D99/00 |
代理公司: | 宁波海曙甬睿专利代理事务所(普通合伙) 33330 | 代理人: | 隋祥雷 |
地址: | 221000 江苏省徐州市高新技术产业*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶体生长 反射 加热器 | ||
本发明公开了晶体生长炉技术领域的一种体生长炉反射加热器,包括:保温壳总成,所述保温壳总成包括保温套总成,所述保温套总成包括保温套;底盖总成,所述底盖总成包括底盖组件,所述底盖组件包括设置在所述保温套底部开口处的底板以及呈环形设置在所述底板顶部并设置在所述保温套内腔的红外加热器;顶盖总成,所述顶盖总成包括设置在所述保温套顶部的顶盖,所述顶盖为弧形顶盖,该种晶体生长炉反射加热器,通过红外加热器发出热辐射,热辐射照射到反光镜上,通过反光镜将热辐射聚焦在坩埚的内部对晶体直接加热,由于直接对晶体进行加热而不需要通过坩埚对温度进行传递,提高了热量的传导率,节约了能源。
技术领域
本发明涉及晶体生长炉技术领域,具体为一种晶体生长炉反射加热器。
背景技术
晶体生长炉是一种用于电子与通信技术领域的工艺试验仪器,适合制备氧化物,光子晶体金属,合金,化合物与各种单晶样品,可调节生长过程中的气氛。
现有的晶体生长炉采用感应加热的方式进行加热,热量通过坩埚传导到置于坩埚内的材料上,以此对材料进行加热熔融,但是,由于热量是通过坩埚传递到材料上,降低了热量的传导率,为了将材料加热到需要的温度,必须增加用电功率,极大的造成了能源浪费。
发明内容
本发明的目的在于提供一种晶体生长炉反射加热器,以解决上述背景技术中提出的由于热量是通过坩埚传递到材料上,降低了热量的传导率,为了将材料加热到需要的温度,必须增加用电功率,极大的造成了能源浪费的问题。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种晶体生长炉反射加热器,包括:
保温壳总成,所述保温壳总成包括保温套总成,所述保温套总成包括保温套;
底盖总成,所述底盖总成包括底盖组件,所述底盖组件包括设置在所述保温套底部开口处的底板以及呈环形设置在所述底板顶部并设置在所述保温套内腔的红外加热器;
顶盖总成,所述顶盖总成包括设置在所述保温套顶部的顶盖,所述顶盖为弧形顶盖,所述顶盖的内腔侧壁沿着所述顶盖弧形轨迹设置有反光镜,所述反光镜与所述红外加热器相对应。
优选的,所述保温壳总成还包括设置在所述保温套内腔侧壁上的高频感应加热器以及设置在所述保温套圆周外侧壁上的抽吸管道。
优选的,所述保温套总成还包括同轴心设置在所述保温套圆周外侧壁底部的安装环。
优选的,所述底盖总成还包括同轴心设置在所述底板顶部并设置在所述红外加热器内侧的坩埚。
优选的,所述底盖组件还包括同轴心设置在所述底板顶部并设置在所述红外加热器外侧的第一连接环。
优选的,所述顶盖总成还包括同轴心设置在所述顶盖圆周外侧壁上并与所述保温套圆周外侧壁接触的第二连接环以及设置在所述顶盖顶部的连接平台。
优选的,还包括电机安装座总成,所述电机安装座总成包括电机安装座组件以及设置在所述电机安装座组件内腔的电机安装板,所述电机安装座组件包括设置在所述保温套底部并与所述安装环底部接触的电机安装座以及开设在所述电机安装座圆周外侧壁上并设置在所述电机安装板下端的检修槽。
优选的,还包括驱动机构,所述驱动机构包括设置在所述电机安装板底部的电机以及设置在所述电机输出轴上并设置在所述电机安装板上端且与所述底板底部相连接的转盘。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:该种晶体生长炉反射加热器,通过红外加热器发出热辐射,热辐射照射到反光镜上,通过反光镜将热辐射聚焦在坩埚的内部对晶体直接加热,由于直接对晶体进行加热而不需要通过坩埚对温度进行传递,提高了热量的传导率,节约了能源。
附图说明
图1为本发明结构示意图;
图2为本发明保温壳总成结构示意图;
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