[发明专利]晶体生长设备的控制方法、系统、装置和存储介质

权利要求书

1.一种晶体生长设备的控制方法，其中，所述方法包括：

获取目标晶体生长设备的控制模式和目标生长结果，所述控制模式包括温度控制模式和功率控制模式中的至少一种；

基于所述控制模式和所述目标生长结果，确定所述目标晶体生长设备的生长控制参数。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述控制模式包括所述目标晶体生长设备处于第一控制阶段时的第一控制模式，所述第一控制阶段为原料预热阶段；所述确定所述目标晶体生长设备的生长控制参数包括：

响应于所述第一控制模式为所述功率控制模式，确定所述第一控制阶段的第一目标功率，所述第一目标功率用于在所述第一控制阶段控制所述目标晶体生长设备。

3.如权利要求2所述的方法，其中，所述确定所述目标晶体生长设备的生长控制参数还包括：

基于所述第一目标功率确定所述第一控制阶段的第一目标气压。

4.如权利要求2所述的方法，其中，所述获取目标晶体生长设备的控制模式包括：

获取至少一个晶体生长设备的历史生长数据，所述历史生长数据至少包括历史生长控制数据和历史生长结果数据；

基于所述历史生长数据和所述目标生长结果，确定所述目标晶体生长设备的所述第一控制模式。

5.如权利要求4所述的方法，其中，所述历史生长数据还包括所述至少一个晶体设备的历史设备参数，所述基于所述历史生长数据和所述目标生长结果，确定所述目标晶体生长设备的所述第一控制模式，包括：

获取所述目标晶体生长设备的设备参数；

基于所述设备参数、所述历史生长数据和所述目标生长结果，确定所述目标晶体生长设备的所述第一控制模式。

6.如权利要求5所述的方法，其中，所述基于所述设备参数、所述历史生长数据和所述目标生长结果，确定所述目标晶体生长设备的所述第一控制模式，包括：

基于控制推荐模型对所述设备参数和所述目标生长结果进行处理，确定所述目标晶体生长设备的所述第一控制模式，所述控制推荐模型为机器学习模型，所述控制推荐模型的训练样本包括所述历史生长数据。

7.如权利要求6所述的方法，其中，所述控制推荐模型通过以下方法获取：

获取多个第一训练样本及其对应的第一标签，所述第一训练样本包括第一样本晶体生长设备的历史设备参数和历史生长结果，所述第一标签包括所述第一样本晶体生长设备的历史控制模式和/或历史生长控制参数；

基于所述多个第一训练样本及其对应的第一标签训练得到所述控制推荐模型。

8.一种晶体生长设备的控制系统，其中，所述系统包括：

获取模块，用于获取目标晶体生长设备的控制模式和目标生长结果，所述控制模式包括温度控制模式和功率控制模式中的至少一种；

确定模块，用于基于所述控制模式和所述目标生长结果，确定所述目标晶体生长设备的生长控制参数。

9.一种晶体生长设备的控制装置，其中，所述装置包括处理器，所述处理器用于执行权利要求1-7所述的晶体生长设备的控制方法。

10.一种计算机可读存储介质，所述存储介质存储计算机指令，当计算机读取存储介质中的计算机指令后，计算机执行如权利要求1-7所述的晶体生长设备的控制方法。