[发明专利]晶体生长设备的控制方法、系统、装置和存储介质

说明书

本说明书实施例提供一种晶体生长设备的控制方法、系统、装置和存储介质，该方法包括：获取目标晶体生长设备的控制模式和目标生长结果，控制模式包括温度控制模式和功率控制模式中的至少一种；基于控制模式和目标生长结果，确定目标晶体生长设备的生长控制参数。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，特别是涉及一种晶体生长设备的控制方法、系统、装置和存储介质。

背景技术

碳化硅晶体生长难度高，在晶体生长过程中，对晶体生长设备(如长晶炉)内的晶体生长温度控制要求严苛。在晶体生长过程中，生长设备内的温度会随物料的生长进程而产生波动，如果不能精确控制生长设备内的生长温度，则会导致生长出的碳化硅晶体出现质量问题(例如，凸度过大、杂晶等)。

因此，希望提供一种晶体生长设备的控制方法、系统、装置和存储介质，在碳化硅长晶过程中对晶体生长过程进行监测，以及根据晶体的生长情况进行自动化调控，提高晶体生长质量。

发明内容

本说明书实施例之一提供一种晶体生长设备的控制方法，所述方法包括：获取目标晶体生长设备的控制模式和目标生长结果，控制模式包括温度控制模式和功率控制模式中的至少一种；基于控制模式和目标生长结果，确定目标晶体生长设备的生长控制参数。

本说明书实施例之一提供一种晶体生长设备的控制系统，所述系统包括：获取模块，用于获取目标晶体生长设备的控制模式和目标生长结果，控制模式包括温度控制模式和功率控制模式中的至少一种；确定模块，用于基于所述控制模式和所述目标生长结果，确定所述目标晶体生长设备的生长控制参数。

本说明书实施例之一提供一种晶体生长设备的控制装置，所述装置包括处理器，处理器用于执行如上实施例所述的晶体生长设备的控制方法。

本说明书实施例之一提供一种计算机可读存储介质，所述存储介质存储计算机指令，当计算机读取存储介质中的计算机指令后，计算机执行如上实施例所述的晶体生长设备的控制方法。

附图说明

本说明书将以示例性实施例的方式进一步说明，这些示例性实施例将通过附图进行详细描述。这些实施例并非限制性的，在这些实施例中，相同的编号表示相同的结构，其中：

图1是根据本说明书一些实施例所示的示例性晶体生长设备的控制系统的应用场景示意图；

图2是根据本说明说一些实施例所示的示例性晶体生长设备的控制系统的模块图；

图3是根据本说明书一些实施例所示的示例性晶体生长设备的结构框图；

图4是根据本说明书一些实施例所示的示例性晶体生长设备的控制方法的流程图；

图5是根据本说明书一些实施例所示的示例性确定目标晶体生长设备的第一控制模式的示意图；

图6是根据本说明书一些实施例所示的示例性确定目标晶体生长设备的生长控制参数的流程图；

图7是根据本说明书一些实施例所示的示例性目标晶体生长设备的不同生长阶段的示意图。

具体实施方式

为了更清楚地说明本说明书实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本说明书的一些示例或实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图将本说明书应用于其它类似情景。除非从语言环境中显而易见或另做说明，图中相同标号代表相同结构或操作。

应当理解，本文使用的“系统”、“装置”、“单元”和/或“模块”是用于区分不同级别的不同组件、元件、部件、部分或装配的一种方法。然而，如果其他词语可实现相同的目的，则可通过其他表达来替换所述词语。