[发明专利]一种MOSFET器件及其制备方法

权利要求书

1.一种MOSFET器件，其特征在于，包括：

第一导电类型的半导体外延结构；

在所述半导体外延结构内间隔设置的若干个第二导电类型的第一多边形区，所述第一多边形区从所述半导体外延结构的表面向所述半导体外延结构内延伸；

若干个第一导电类型的第二多边形区，分别设置在对应的所述第一多边形区内，所述第二多边形区从所述半导体外延结构的表面向所述半导体外延结构内延伸；

每一所述第二多边形区包括：与所述第一多边形区相连且从所述半导体外延结构的表面向所述半导体外延结构内延伸的多个第一侧壁，所述第二多边形区中相邻的两第一侧壁之间的拐角面为弧面。

2.根据权利要求1所述的MOSFET器件，其特征在于，所述第二多边形区的第一侧壁为平面。

3.根据权利要求1所述的MOSFET器件，其特征在于，所述MOSFET器件，还包括：

若干个第二导电类型的第三多边形区，分别设置在对应的所述第二多边形区内，所述第三多边形区从所述半导体外延结构的表面向所述半导体外延结构内延伸，所述第三多边形区的掺杂浓度大于所述第一多边形区的掺杂浓度；

每一所述第二多边形区还包括：与所述第三多边形区相连且从所述半导体外延结构的表面向所述半导体外延结构内延伸的多个第二侧壁，所述第二多边形区中相邻的两第二侧壁之间的拐角面为弧面。

4.根据权利要求3所述的MOSFET器件，其特征在于，所述第二多边形区的第一侧壁与对应的第二侧壁平行，相邻的所述第一侧壁之间的拐角面的弧面曲率与相对的相邻的所述第二侧壁之间的拐角面的弧面曲率相同。

5.根据权利要求1所述的MOSFET器件，其特征在于，所述半导体外延结构为碳化硅结构。

6.一种MOSFET器件，其特征在于，包括：

第一导电类型的半导体外延结构；

在所述半导体外延结构内间隔设置的若干个多边形掺杂区，每一所述多边形掺杂区，包括：

第二导电类型的阱区，设置在所述第一导电类型的半导体外延结构内，所述阱区从所述半导体外延结构的表面向所述半导体外延结构内延伸；

第一导电类型的源区，设置在所述阱区内，所述源区从所述半导体外延结构的表面向所述半导体外延结构内延伸；所述源区包括：与阱区相连且从所述半导体外延结构的表面向所述半导体外延结构内延伸的多个第一侧面，所述源区的相邻的第一侧面之间的拐角面为弧面。

7.根据权利要求6所述的MOSFET器件，其特征在于，所述源区的第一侧面为平面。

8.根据权利要求6所述的MOSFET器件，其特征在于，多边形掺杂区，还包括：

第二导电类型的阱区接触区，所述阱区接触区设置在所述源区内，所述阱区接触区从所述半导体外延结构的表面向所述半导体外延结构内延伸，所述阱区接触区的掺杂浓度大于所述阱区的掺杂浓度；

所述源区还包括：与所述阱区接触区相连且从所述半导体外延结构的表面向所述半导体外延结构内延伸的多个第二侧面，所述阱区接触区中相邻的两第二侧面之间的拐角面为弧面。

9.根据权利要求6所述的MOSFET器件，其特征在于，所述MOSFET器件，还包括：

栅极结构，设置在所述半导体外延结构上，所述栅极结构的两端部分别设置在相邻的两多边形掺杂区的源区中靠近相邻的多边形掺杂区的一侧上。

10.一种MOSFET器件的制备方法，其特征在于，包括：

提供一第一导电类型的半导体外延结构；

在所述半导体外延结构中间隔形成若干个多边形掺杂区；所述多边形掺杂区的形成方法包括：

在所述半导体外延结构内设置第二导电类型的阱区，所述阱区从所述半导体外延结构的表面向所述半导体外延结构内延伸；在所述阱区内设置第一导电类型的源区，所述源区包括：与阱区相连且从所述半导体外延结构的表面向所述半导体外延结构内延伸的多个第一侧面，所述源区的相邻的第一侧面之间的拐角面为弧面。