[发明专利]双极运放失调电压修调电路在审
| 申请号： | 202310395982.8 | 申请日： | 2023-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN116400771A | 公开（公告）日： | 2023-07-07 |
| 发明（设计）人： | 刘欢 | 申请（专利权）人： | 成都环宇芯科技有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 成都惠迪专利事务所(普通合伙) 51215 | 代理人： | 刘勋 |
| 地址： | 610000 四川省成都市中国（四川）*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 双极运放 失调 电压 电路 | ||
1.双极运放失调电压修调电路，其特征在于，包括：
第十PJFET管(Q10),其栅极接偏置电压输入端，源极通过第一电阻(R1)接VDD；
第十一PJFET管(Q11)、第十二PJFET管(Q12)、第十三PJFET管(Q13)、第十四PJFET管(Q14)和第十五PJFET管(Q15)的源极皆连接第十PJFET管(Q10)的漏极，栅极皆连接偏置电压输入端；
第十六PJFET管(Q16),其漏极接第十一PJFET管(Q11)的漏极,其源极和栅极相接；
第十七PNP三极管(Q17),其基极接第十六PJFET管(Q16)的源极，发射极接第十二PJFET管(Q12)的漏极；
第十八PNP三极管(Q18),其基极接第十六PJFET管(Q16)的源极，发射极接第十三PJFET管(Q13)的漏极，集电极接第十七PNP三极管(Q17)的集电极；
第十九PNP三极管(Q19),其基极接第十六PJFET管(Q16)的源极，发射极接第十四PJFET管(Q14)的漏极，集电极接第十七PNP三极管(Q17)的集电极；
第二十PNP三极管(Q20),其基极接第十六PJFET管(Q16)的源极，发射极接第十五PJFET管(Q15)的漏极，集电极接第十七PNP三极管(Q17)的集电极；
第二十一PJFET管(Q21),其漏极作为第一输出端,其源极和栅极通过第一熔丝器件接第十七PNP三极管(Q17)的集电极；
第二十二PJFET管(Q22),其漏极作为第二输出端,其源极和栅极通过第二熔丝器件接第十七PNP三极管(Q17)的集电极；
第二十三NPN三极管(Q23),其基极和集电极接第十一PJFET管(Q11)的漏极；
第二十四PNP三极管(Q24),其基极接电流输入端，发射极接第二十三NPN三极管(Q23)的发射极，集电极接地；
第二十五NPN三极管(Q25),其基极和集电极接电流输入端，发射极接地；
第二十六PNP三极管(Q26),其发射极接第十二PJFET管(Q12)的漏极，基极和集电极通过第三熔丝器件接地；
第二十七PNP三极管(Q27),其发射极接第十三PJFET管(Q13)的漏极，基极和集电极通过第四熔丝器件接地；
第二十八PNP三极管(Q28),其发射极接第十四PJFET管(Q14)的漏极，基极和集电极通过第五熔丝器件接地；
第二十九PNP三极管(Q29),其发射极接第十五PJFET管(Q15)的漏极，基极和集电极通过第六熔丝器件接地。
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