[发明专利]双极运放失调电压修调电路在审

专利信息
申请号: 202310395982.8 申请日: 2023-04-14
公开(公告)号: CN116400771A 公开(公告)日: 2023-07-07
发明(设计)人: 刘欢 申请(专利权)人: 成都环宇芯科技有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 成都惠迪专利事务所(普通合伙) 51215 代理人: 刘勋
地址: 610000 四川省成都市中国(四川)*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 双极运放 失调 电压 电路
【说明书】:

双极运放失调电压修调电路,涉及集成电路技术,本发明包括第十PJFET管(Q10)、第十一PJFET管(Q11)、第十二PJFET管(Q12)、第十三PJFET管(Q13)、第十四PJFET管(Q14)、第十五PJFET管(Q15)、第十六PJFET管(Q16)、第十七PNP三极管(Q17、第十八PNP三极管(Q18)、第十九PNP三极管(Q19)、第二十PNP三极管(Q20)、第二十一PJFET管(Q21)、第二十二PJFET管(Q22)、第二十三NPN三极管(Q23)、第二十四PNP三极管(Q24)、第二十五NPN三极管(Q25)、第二十六PNP三极管(Q26)、第二十七PNP三极管(Q27)、第二十八PNP三极管(Q28)、第二十九PNP三极管(Q29);本发明采用较少的器件、熔丝和修调PAD实现了双极型运放的失调电压修调,修调精度高。

技术领域

本发明涉及集成电路技术,特别涉及双极型运算放大器的失调电压修调。

背景技术

在高精度应用中,由于其输入信号幅度很小,需要很大的增益,才能够得到合适幅度的输出电压。但是失调电压太大,大增益将使输出电压达到电源轨或地轨,使运放处于一个错误的工作状态。因此高精度应用需要低失调运放。目前,降低运放失调电压常用的方法是采用修调技术。常见的修调技术主要有数字修调、齐纳管修调、EEPROM修调、连接修调、激光修调。本发明基于熔丝连接修调设计了一种电路结构以实现双极型运放的失调电压修调。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是,提供一种基于熔丝修调的双极运放失调电压修调结构,能够在较小的面积下实现正方向4位和负方向4位共32个步进的修调。

本发明解决所述技术问题采用的技术方案是,双极运放失调电压修调电路,其特征在于,包括:

第十PJFET管(Q10),其栅极接偏置电压输入端,源极通过第一电阻(R1)接VDD;

第十一PJFET管(Q11)、第十二PJFET管(Q12)、第十三PJFET管(Q13)、第十四PJFET管(Q14)和第十五PJFET管(Q15)的源极皆连接第十PJFET管(Q10)的漏极,栅极皆连接偏置电压输入端;

第十六PJFET管(Q16),其漏极接第十一PJFET管(Q11)的漏极,其源极和栅极相接;

第十七PNP三极管(Q17),其基极接第十六PJFET管(Q16)的源极,发射极接第十二PJFET管(Q12)的漏极;

第十八PNP三极管(Q18),其基极接第十六PJFET管(Q16)的源极,发射极接第十三PJFET管(Q13)的漏极,集电极接第十七PNP三极管(Q17)的集电极;

第十九PNP三极管(Q19),其基极接第十六PJFET管(Q16)的源极,发射极接第十四PJFET管(Q14)的漏极,集电极接第十七PNP三极管(Q17)的集电极;

第二十PNP三极管(Q20),其基极接第十六PJFET管(Q16)的源极,发射极接第十五PJFET管(Q15)的漏极,集电极接第十七PNP三极管(Q17)的集电极;

第二十一PJFET管(Q21),其漏极作为第一输出端,其源极和栅极通过第一熔丝器件接第十七PNP三极管(Q17)的集电极;

第二十二PJFET管(Q22),其漏极作为第二输出端,其源极和栅极通过第二熔丝器件接第十七PNP三极管(Q17)的集电极;

第二十三NPN三极管(Q23),其基极和集电极接第十一PJFET管(Q11)的漏极;

第二十四PNP三极管(Q24),其基极接电流输入端,发射极接第二十三NPN三极管(Q23)的发射极,集电极接地;

第二十五NPN三极管(Q25),其基极和集电极接电流输入端,发射极接地;

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