[发明专利]谐振器及组件、滤波器、电子设备及制作方法和封装结构在审

专利信息
申请号: 202310402705.5 申请日: 2023-04-06
公开(公告)号: CN116405004A 公开(公告)日: 2023-07-07
发明(设计)人: 李林萍 申请(专利权)人: 见闻录(浙江)半导体有限公司
主分类号: H03H9/02 分类号: H03H9/02;H03H9/17;H03H9/13;H03H3/02;H03H9/10
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 郄晨芳
地址: 313000 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 谐振器 组件 滤波器 电子设备 制作方法 封装 结构
【权利要求书】:

1.一种体声波谐振器,其特征在于,包括:

衬底;

第一电极,所述第一电极与衬底之间具有声波反射结构;

第二电极,所述第二电极与第一电极之间具有压电层;

其中,在垂直于所述衬底的方向上,所述声波反射结构、第一电极、压电层和第二电极的重叠区域构成有效区域,所述谐振器具有环形的有效区域;

所述有效区域的内边缘上的任意一点为A点,所述A点到谐振器的中心点的距离为D,所述A点到有效区域外边缘的最短距离为W,且0.1≤W/D≤10。

2.根据权利要求1所述的体声波谐振器,其特征在于,所述有效区域的内边缘的内侧具有非有效区域,所述有效区域的面积为S1,所述非有效区域的面积为S2,S1和S2的关系满足:

0.2≤S1/S2≤12。

3.根据权利要求1所述的体声波谐振器,其特征在于,多个所述A点到所述有效区域外边缘的最短距离分别对应多个W,多个所述W中具有最大值与最小值,所述最大值与所述最小值的比为1.5:1。

4.根据权利要求1所述的体声波谐振器,其特征在于,任意所述W的取值范围为10-50μm。

5.根据权利要求1所述的体声波谐振器,其特征在于,在垂直于所述衬底的方向上,所述声波反射结构、压电层、第一电极和第二电极中的至少一者为环形结构,以形成环形有效区域。

6.根据权利要求1所述的体声波谐振器,其特征在于,所述声波反射结构位于所述衬底的上表面或嵌于所述衬底的内部。

7.根据权利要求1所述的体声波谐振器,其特征在于,所述声波反射结构的高度范围为0.1-0.5μm。

8.根据权利要求2所述的体声波谐振器,其特征在于,所述声波反射结构的中心区域内具有介质块,所述介质块位于所述非有效区域,所述声波反射结构基于所述介质块形成环形结构。

9.根据权利要求8所述的体声波谐振器,其特征在于,所述介质块包括空心结构,所述空心结构的底部设置有第一释放通道,在平行于所述衬底的方向上,所述第一释放通道贯穿所述空心结构的底部。

10.根据权利要求8所述的体声波谐振器,其特征在于,所述介质块包括实心结构,所述实心结构的侧壁上设置有第二释放通道,在垂直于所述衬底的方向上,所述第二释放通道贯穿所述实心结构。

11.根据权利要求2所述的体声波谐振器,其特征在于,在垂直于所述衬底的方向上,所述压电层与所述第二电极之间,和/或所述第一电极与所述压电层之间具有间隙,所述间隙位于所述非有效区域。

12.根据权利要求11所述的体声波谐振器,其特征在于,所述第一电极的上表面和/或所述压电层的上表面具有第一凹陷部,至少一个所述第一凹陷部与所述第二电极之间形成第一间隙。

13.根据权利要求11所述的体声波谐振器,其特征在于,所述第一电极或所述第一电极与所述压电层向下凹陷形成第二凹陷部,至少一个所述第二凹陷部与所述第二电极之间形成第二间隙。

14.一种谐振器组件,包括基于权利要求1-13任一项所述体声波谐振器,其特征在于,所述体声波谐振器与至少一个电结构电连接,所述电结构位于所述非有效区域。

15.一种谐振器的封装结构,基于权利要求1-13任一项所述体声波谐振器,其特征在于,所述谐振器的上方设置有封装膜,所述封装膜密封所述有效区域,且所述有效区域与所述封装膜之间声隔离。

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