[发明专利]谐振器及组件、滤波器、电子设备及制作方法和封装结构

说明书

本申请公开了谐振器及组件、滤波器、电子设备及制作方法和封装结构，体声波谐振器包括：衬底；第一电极，第一电极与衬底之间具有声波反射结构；第二电极，第二电极与第一电极之间具有压电层；其中，在垂直于衬底的方向上，声波反射结构、第一电极、压电层和第二电极的重叠区域构成有效区域，谐振器具有环形的有效区域；有效区域的内边缘上的任意一点为A点，A点到谐振器的中心点的距离为D，A点到有效区域外边缘的最短距离为W，且0.1≤W/D≤10。通过调整谐振器中的距离W，提高谐振器的散热效率。

技术领域

本发明涉及半导体领域，更具体的说，涉及一种谐振器及组件、滤波器、电子设备及制作方法和封装结构。

背景技术

目前，谐振器的主要功能层，即压电层和电极的厚度仅为微米或纳米级别，导致热量易在功能层中积累，带来负面效应，如谐振器的频率漂移，或引起、加速主要功能层的老化与损坏，影响谐振器的可靠性和寿命的同时限制了谐振器功率容量的进一步提升。因此如何提高谐振器的散热能力，是需要解决的技术问题。

发明内容

有鉴于此，本申请一方面提供了一种体声波谐振器，所述谐振器包括：

衬底；

第一电极，所述第一电极与衬底之间具有声波反射结构；

第二电极，所述第二电极与第一电极之间具有压电层；

其中，在垂直于所述衬底的方向上，所述声波反射结构、第一电极、压电层和第二电极的重叠区域构成有效区域，所述谐振器具有环形的有效区域；

所述有效区域的内边缘上的任意一点为A点，所述A点到谐振器的中心点的距离为D，所述A点到有效区域外边缘的最短距离为W，且0.1≤W/D≤10。

优选的，在上述体声波谐振器中，所述有效区域的内边缘的内侧具有非有效区域，所述有效区域的面积为S1，所述非有效区域的面积为S2，S1和S2的关系满足：

0.2≤S1/S2≤12。

优选的，在上述体声波谐振器中，多个所述A点到所述有效区域外边缘的最短距离分别对应多个W，多个所述W中具有最大值与最小值，所述最大值与所述最小值的比为1.5:1。

优选的，在上述体声波谐振器中，任意所述W的取值范围为10-50μm。

优选的，在上述体声波谐振器中，在垂直于所述衬底的方向上，所述声波反射结构、压电层、第一电极和第二电极中的至少一者为环形结构，以形成环形有效区域。

优选的，在上述体声波谐振器中，所述声波反射结构位于所述衬底的上表面或嵌于所述衬底的内部。

优选的，在上述体声波谐振器中，所述声波反射结构的高度范围为0.1-0.5μm。

优选的，在上述体声波谐振器中，所述声波反射结构的中心区域内具有介质块，所述介质块位于所述非有效区域，所述声波反射结构基于所述介质块形成环形结构。

优选的，在上述体声波谐振器中，所述介质块包括空心结构，所述空心结构的底部设置有第一释放通道，在平行于所述衬底的方向上，所述第一释放通道贯穿所述空心结构的底部。

优选的，在上述体声波谐振器中，所述介质块包括实心结构，所述实心结构的侧壁上设置有第二释放通道，在垂直于衬底的方向上，所述第二释放通道贯穿所述实心结构。

优选的，在上述体声波谐振器中，在垂直于所述衬底的方向上，所述压电层与所述第二电极之间，和/或所述衬底与所述第一电极之间具有间隙，所述间隙位于所述非有效区域。

优选的，在上述体声波谐振器中，所述第一电极的上表面和/或所述压电层的上表面具有第一凹陷部，至少一个所述第一凹陷部与所述第二电极之间形成第一间隙。