[发明专利]产品生产制程的控制方法及产品生产制程系统在审
申请号: | 202310445502.4 | 申请日: | 2023-04-21 |
公开(公告)号: | CN116435209A | 公开(公告)日: | 2023-07-14 |
发明(设计)人: | 陈娟 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G05B19/418;H01L21/67 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 孙姗姗;吴素花 |
地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 产品 生产 控制 方法 系统 | ||
1.一种产品生产制程的控制方法,其特征在于,包括:
获取预设时长内产品在一个或多个制程站点中各所述制程站点对应的多个不同维度的制程信息;
根据所述多个不同维度的制程信息,生成影响权重矩阵;所述影响权重矩阵包括多个不同维度的制程信息满足不同预设条件触发所述产品待进行的各修正操作所对应的重要程度;
根据所述影响权重矩阵,生成操作映射表;所述操作映射表包括重要程度超过预设程度的修正操作及重要程度超过预设程度的修正操作所对应的操作进程;所述操作映射表用于指导所述产品执行相应的修正操作。
2.根据权利要求1所述的控制方法,其特征在于,根据所述多个不同维度的制程信息,生成影响权重矩阵,包括:
根据所述多个不同维度的制程信息,生成准则矩阵;所述准则矩阵包括所述满足不同预设条件的制程信息与所述待进行的各修正操作之间的关系;以及
根据所述准则矩阵,生成所述影响权重矩阵。
3.根据权利要求2所述的控制方法,其特征在于,根据所述多个不同维度的制程信息,生成准则矩阵,包括:
获取所述多个不同维度的制程信息中各不同预设条件的阈值;
在所述预设时长的结束时,从所述多个不同维度的制程信息中筛选出超出相应阈值的制程信息;
根据所述超过相应阈值的制程信息,确定所述产品待进行的各修正操作。
4.根据权利要求2所述的控制方法,其特征在于,根据所述准则矩阵,生成所述影响权重矩阵,包括:
根据所述准则矩阵,分别计算所述待进行的各修正操作的标度,所述标度表征所述修正操作对应的优先级和触发次数;
根据所述待进行的各修正操作的标度,形成判断矩阵,所述判断矩阵包括所述待进行的各修正操作对应的多个标度中任意两个标度之间的比较;
根据所述判断矩阵,生成所述影响权重矩阵。
5.根据权利要求4所述的控制方法,其特征在于,根据所述判断矩阵,生成所述影响权重矩阵,包括:
对所述判断矩阵的列向量进行归一化处理;
求取进行归一化处理后的判断矩阵的行向量的平均值,得到所述影响权重矩阵。
6.根据权利要求1所述的控制方法,其特征在于,
所述获取预设时长内产品在多个制程站点中各所述制程站点对应的多个不同维度的制程信息,包括:
在所述产品行进至启动站点时,启动计时,所述启动站点为所述多个制程站点中的首个制程站点,当所述产品行进至结束站点时,结束所述计时,所述结束站点为所述多个制程站点中所述启动站点后的一个制程站点;
在所述产品行进至所述启动站点后的任意制程站点时,或者,当所述产品每完成所述启动站点后的任意制程站点时,进行时长判定;
当所述计时的时长未到达所述预设时长,继续获取每个制程站点对应的多个不同维度的制程信息;
所述根据所述多个不同维度的制程信息,生成影响权重矩阵,包括:
当所述计时的时长到达或超过所述预设时长,根据获取的所述多个不同维度的制程信息,生成所述影响权重矩阵。
7.根据权利要求6所述的控制方法,其特征在于,生成操作映射表之后,所述方法还包括:
对所述产品是否到达目标站点进行位置判定;所述目标站点为所述多个制程站点中的最后一个制程站点;
当所述产品未到达所述目标站点,继续获取每个操作进程对应的多个不同维度的制程信息;
当所述产品到达所述目标站点,根据所述操作映射表的信息执行所述目标站点的相应的修正操作或者正常控制所述目标站点的产品生产制程。
8.根据权利要求7所述的控制方法,其特征在于,根据所述操作映射表的信息执行所述目标站点的相应的修正操作或者正常控制所述目标站点的产品生产制程,包括:
当所述计时的时长大于或等于所述预设时长,根据所述操作映射表的信息执行所述目标站点的相应的修正操作;
当所述计时的时长小于所述预设时长,正常控制所述目标站点的产品生产制程。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造