[发明专利]封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种封装结构，其特征在于，包括：

基板，所述基板具有相对的第一表面和第二表面；

第一芯片，所述第一芯片位于所述基板的所述第一表面上；

金属线，所述金属线的一端与所述第一表面电性连接，所述金属线的另一端与所述第一芯片远离所述基板的表面电性连接；

第二芯片，所述第二芯片位于所述第一芯片远离所述基板的一侧，且所述第二芯片与所述第一芯片的正对，部分所述金属线位于所述第一芯片与所述第二芯片之间；

绝缘膜，所述绝缘膜位于所述第二芯片朝向所述第一芯片的表面，且所述绝缘膜包裹部分所述金属线；

导电柱，所述导电柱位于所述第一芯片和所述第二芯片之间，所述导电柱的沿所述第一芯片指向所述第二芯片的方向延伸，所述导电柱的一端与所述第一芯片电性连接，所述导电柱的另一端贯穿所述绝缘膜与所述第二芯片电性连接。

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，在沿垂直于所述第二芯片朝向所述第一芯片的表面的方向上，所述绝缘膜的厚度小于所述第二芯片和所述第一芯片之间的间隙宽度。

3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述绝缘膜的厚度与所述第一芯片和所述第二芯片之间的间隙宽度的比值范围为0.2-0.3。

4.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，包裹在所述绝缘膜内的所述金属线的长度为第一长度，位于所述第一芯片和所述第二芯片之间且暴露于所述绝缘膜之外的所述金属线的长度为第二长度，所述第一长度大于所述第二长度。

5.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，在沿垂直于所述第一表面的方向上，位于所述第一芯片和所述第二芯片之间的所述金属线上的任一点到所述第一芯片远离所述基板的一侧表面的最大距离为第一距离，所述绝缘膜与所述第一芯片之间的间隙距离为第二距离，所述第二距离小于所述第一距离的1/2。

6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一芯片具有远离所述基板的第一正面，所述第二芯片具有朝向所述第一正面的第二正面；

所述第一正面具有第一重布线层以及覆盖所述第一重布线层表面的第一钝化层，所述导电柱的一端贯穿所述第一钝化层与所述第一重布线层接触；

所述第二正面具有第二重布线层以及覆盖所述第二重布线层表面的第二钝化层，所述绝缘膜覆盖所述第二钝化层表面，所述导电柱的另一端贯穿所述第二钝化层与所述第二重布线层接触。

7.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述金属线与所述第一芯片的电连接点为焊接点，所述封装结构还包括：

支撑柱，所述支撑柱沿所述第一芯片指向所述第二芯片的方向延伸且贯穿所述绝缘膜，所述支撑柱的一端与所述焊接点接触，所述支撑柱的另一端与所述第二芯片朝向所述第一芯片的表面接触。

8.根据权利要求1-7任一所述的封装结构，其特征在于，所述绝缘膜与所述第一芯片之间填充有模塑层，且所述模塑层内的填料体积小于所述绝缘膜内的填料体积。

9.一种封装结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供基板，所述基板具有相对的第一表面和第二表面；

提供第一芯片，并将所述第一芯片固定于所述基板的第一表面；

形成金属线，所述金属线的一端与所述第一表面电性连接，所述金属线的另一端与所述第一芯片远离所述基板的表面电性连接；

提供第二芯片，并在所述第二芯片的一侧表面形成导电柱，所述导电柱的一端与所述第二芯片的表面接触，另一端向远离第二芯片的方向延伸；

形成绝缘膜，所述绝缘膜覆盖所述第二芯片的表面，且所述导电柱贯穿所述绝缘膜；

将所述第一芯片和所述第二芯片正对，以使所述导电柱位于所述第一芯片和所述第二芯片之间；

将所述第一芯片和所述第二芯片热压焊接。

10.根据权利要求9所述的封装结构的制造方法，其特征在于，所述绝缘膜的材料的玻璃化转变温度小于所述第一芯片与所述第二芯片键合时的工艺温度；所述绝缘膜的材料的熔点大于所述工艺温度。