[发明专利]封装结构及其制造方法

说明书

本公开实施例提供一种封装结构及其制造方法，结构包括：基板，基板具有相对的第一表面和第二表面；第一芯片，第一芯片位于基板的第一表面上；金属线，金属线的一端与第一表面电性连接，金属线的另一端与第一芯片远离基板的表面电性连接；第二芯片，第二芯片位于第一芯片远离基板的一侧，且第二芯片与第一芯片的正对，部分金属线位于第一芯片与第二芯片之间；绝缘膜，绝缘膜位于第二芯片朝向第一芯片的表面，且绝缘膜包裹部分金属线；导电柱，导电柱位于第一芯片和第二芯片之间，导电柱的沿第一芯片指向第二芯片的方向延伸，导电柱的一端与第一芯片电性连接，导电柱的另一端贯穿绝缘膜与第二芯片电性连接，可以提高封装结构的稳定性。

技术领域

本公开实施例涉及半导体领域，特别涉及一种封装结构及其制造方法。

背景技术

随着电子产品功能与应用的需求的急遲增加，封装技术也朝着高密度微小化、单芯片封装到多芯片封装、二维尺度到三维尺度的方向发展。其中，系统化封装技术(SystemIn Package)是一种可整合不同电路功能芯片的较佳方法，利用表面粘着(Surface MountTechnolosy，SMT)工艺将不同的芯片堆栈整合于同一基板上，借以有效缩减封装面积，具有体积小、高频、高速、生产周期短与低成本的优点。

目前，封装结构的可靠性有待提高。

发明内容

本公开实施例提供一种封装结构及其制造方法，至少有利于提高封装结构的稳定性。

根据本公开一些实施例，本公开实施例一方面提供一种半导体结构，包括：基板，基板具有相对的第一表面和第二表面；第一芯片，第一芯片位于基板的第一表面上；金属线，金属线的一端与第一表面电性连接，金属线的另一端与第一芯片远离基板的表面电性连接；第二芯片，第二芯片位于第一芯片远离基板的一侧，且第二芯片与第一芯片的正对，部分金属线位于第一芯片与第二芯片之间；绝缘膜，绝缘膜位于第二芯片朝向第一芯片的表面，且绝缘膜包裹部分金属线；导电柱，导电柱位于第一芯片和第二芯片之间，导电柱的沿第一芯片指向第二芯片的方向延伸，导电柱的一端与第一芯片电性连接，导电柱的另一端贯穿绝缘膜与第二芯片电性连接。

在一些实施例中，在沿垂直于第二芯片朝向第一芯片的表面的方向上，绝缘膜的厚度小于第二芯片和第一芯片之间的间隙宽度。

在一些实施例中，绝缘膜的厚度与第一芯片和第二芯片之间的间隙宽度的比值范围为0.2-0.3。

在一些实施例中，包裹在绝缘膜内的金属线的长度为第一长度，位于第一芯片和第二芯片之间且暴露于绝缘膜之外的金属线的长度为第二长度，第一长度大于第二长度。

在一些实施例中，在沿垂直于第一表面的方向上，位于第一芯片和第二芯片之间的金属线上的任一点到第一芯片远离基板的一侧表面的最大距离为第一距离，绝缘膜与第一芯片之间的间隙距离为第二距离，第二距离小于第一距离的1/2。

在一些实施例中，第一芯片具有远离基板的第一正面，第二芯片具有朝向第一正面的第二正面；第一正面具有第一重布线层以及覆盖第一重布线层表面的第一钝化层，导电柱的一端贯穿第一钝化层与第一重布线层接触；第二正面具有第二重布线层以及覆盖第二重布线层表面的第二钝化层，绝缘膜覆盖第二钝化层表面，导电柱的另一端贯穿第二钝化层与第二重布线层接触。

在一些实施例中，金属线与第一芯片的电连接点为焊接点，封装结构还包括：支撑柱，支撑柱沿第一芯片指向第二芯片的方向延伸且贯穿绝缘膜，支撑柱的一端与焊接点接触，支撑柱的另一端与第二芯片朝向第一芯片的表面接触。

在一些实施例中，绝缘膜与第一芯片之间填充有模塑层，且模塑层内的填料体积小于绝缘膜内的填料体积。