[发明专利]晶圆级扇出封装结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202310459339.7 | 申请日： | 2023-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN116469788A | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 庞宏林;刘展文;施黄竣元;高司政;江晨浩 | 申请（专利权）人： | 甬矽半导体（宁波）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/78;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 刘锋 |
| 地址： | 315400 浙江省宁*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶圆级扇出 封装 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种晶圆级扇出封装结构的制备方法，其特征在于，包括：
提供来料晶圆，所述来料晶圆上形成有露出其焊盘的钝化层；
在所述钝化层上形成导电层；
在所述导电层上涂覆光刻胶层，并刻蚀所述光刻胶层以形成第一窗口，所述第一窗口在所述来料晶圆上的正投影覆盖所述焊盘，且所述第一窗口的边缘与所述焊盘的边缘不重合；
在所述第一窗口内填充金属材料，以形成通过所述导电层与所述焊盘连接的附加焊盘；
去除光刻胶层，并去除露出的所述导电层，以得到第一器件；
切割所述第一器件以得到单颗芯片。
2.根据权利要求1所述的晶圆级扇出封装结构的制备方法，其特征在于，所述在所述钝化层上形成导电层，包括：
在所述钝化层上形成钛金属层；
在所述钛金属层上形成铜金属层，所述钛金属层和所述铜金属层共同形成所述导电层。
3.根据权利要求1或2所述的晶圆级扇出封装结构的制备方法，其特征在于，所述在所述钝化层上形成导电层，包括：
通过溅射工艺在所述钝化层上形成导电层。
4.根据权利要求1所述的晶圆级扇出封装结构的制备方法，其特征在于，所述在所述第一窗口内填充金属材料，以形成通过所述导电层与所述焊盘连接的附加焊盘，包括：
通过电镀工艺在所述第一窗口内填充金属材料，以形成通过所述导电层与所述焊盘连接的附加焊盘。
5.根据权利要求1或4所述的晶圆级扇出封装结构的制备方法，其特征在于，所述金属材料为铜金属或者铝金属。
6.根据权利要求1所述的晶圆级扇出封装结构的制备方法，其特征在于，在所述在所述钝化层上形成导电层之前，所述方法还包括：
在所述钝化层上形成聚酰亚胺层。
7.根据权利要求1所述的晶圆级扇出封装结构的制备方法，其特征在于，所述附加焊盘在所述来料晶圆上的正投影呈方形或圆形。
8.根据权利要求1或7所述的晶圆级扇出封装结构的制备方法，其特征在于，所述附加焊盘的面积在所述焊盘的面积的1.5倍至3倍之间。
9.根据权利要求1所述的晶圆级扇出封装结构的制备方法，其特征在于，在所述提供来料晶圆，所述来料晶圆上形成有露出其焊盘的钝化层之后，所述方法还包括：
清洗所述来料晶圆。
10.一种晶圆级扇出封装结构，其特征在于，由权利要求1至9中任意一项所述的晶圆级扇出封装结构的制备方法制备得到。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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