[发明专利]晶圆级扇出封装结构及其制备方法

说明书

一种晶圆级扇出封装结构及其制备方法，涉及半导体封装技术领域。该晶圆级扇出封装结构的制备方法包括：提供来料晶圆，来料晶圆上形成有露出其焊盘的钝化层；在钝化层上形成导电层；在导电层上涂覆光刻胶层，并刻蚀光刻胶层以形成第一窗口，第一窗口在来料晶圆上的正投影覆盖焊盘，且第一窗口的边缘与焊盘的边缘不重合；在第一窗口内填充金属材料，以形成通过导电层与焊盘连接的附加焊盘；去除光刻胶层，并去除露出的导电层，以得到第一器件；切割第一器件以得到单颗芯片。该晶圆级扇出封装结构的制备方法能够在无需额外设备的情况下，有效减少因焊盘与重布线层之间连接不良而导致的产品失效，从而提高产品良率。

技术领域

本发明涉及半导体封装技术领域，具体而言，涉及一种晶圆级扇出封装结构及其制备方法。

背景技术

随着微电子制造技术的迅速发展，电子产品向更薄、更小、更轻方面发展，采用传统封装技术已经逐渐无法满足需求，晶圆级封装(WLP)技术以BGA技术为基础，所有的封装与测试过程都以圆片为单位进行，使得封装尺寸小至芯片尺寸，生产成本大幅度降低。这使得晶圆级封装技术获得巨大发展和广泛应用。

其中，在晶圆重构过程中，由于塑封料的流动性，重排后的芯片会发生一定程度的偏移。这导致重构晶圆在之后的曝光过程中可能出现不规律的偏移，曝光的位置与PAD位点不能很好地对准，使得芯片可能无法与预先设定的线路接口连接，进而降低封装产品的良率。针对这种问题，目前常用的方法是通过再次扫描定位的方式提高曝光过程的准确性。然而，这种方式需要引入额外设备，且操作流程较为复杂。

发明内容

本发明的目的在于提供一种晶圆级扇出封装结构及其制备方法，其能够在无需额外设备的情况下，有效减少因焊盘与重布线层之间连接不良而导致的产品失效，从而提高产品良率。

本发明的实施例是这样实现的：

本发明的一方面，提供一种晶圆级扇出封装结构的制备方法，该晶圆级扇出封装结构的制备方法包括：提供来料晶圆，来料晶圆上形成有露出其焊盘的钝化层；在钝化层上形成导电层；在导电层上涂覆光刻胶层，并刻蚀光刻胶层以形成第一窗口，第一窗口在来料晶圆上的正投影覆盖焊盘，且第一窗口的边缘与焊盘的边缘不重合；在第一窗口内填充金属材料，以形成通过导电层与焊盘连接的附加焊盘；去除光刻胶层，并去除露出的导电层，以得到第一器件；切割第一器件以得到单颗芯片。该晶圆级扇出封装结构的制备方法能够在无需额外设备的情况下，有效减少因焊盘与重布线层之间连接不良而导致的产品失效，从而提高产品良率。

可选地，在钝化层上形成导电层，包括：在钝化层上形成钛金属层；在钛金属层上形成铜金属层，钛金属层和铜金属层共同形成导电层。

可选地，在钝化层上形成导电层，包括：通过溅射工艺在钝化层上形成导电层。

可选地，在第一窗口内填充金属材料，以形成通过导电层与焊盘连接的附加焊盘，包括：通过电镀工艺在第一窗口内填充金属材料，以形成通过导电层与焊盘连接的附加焊盘。

可选地，金属材料为铜金属或者铝金属。

可选地，在钝化层上形成导电层之前，方法还包括：在钝化层上形成聚酰亚胺层。

可选地，附加焊盘在来料晶圆上的正投影呈方形或圆形。

可选地，附加焊盘的面积在焊盘的面积的1.5倍至3倍之间。

可选地，在提供来料晶圆，来料晶圆上形成有露出其焊盘的钝化层之后，方法还包括：清洗来料晶圆。

本发明的另一方面，提供一种晶圆级扇出封装结构，该晶圆级扇出封装结构由上述的晶圆级扇出封装结构的制备方法制备得到。

本发明的有益效果包括：