[发明专利]一种二极管全动态老化方法

权利要求书

1.一种二极管全动态老化方法，其特征在于，具体步骤如下：

a）、将待测二极管、反向阻断二极管、调整管、采样电阻、电流转换和采样模块、电流控制模块、电流控制基准信号输出模块以及直流电源组件连接成正向电流试验回路；将待测二极管、反向限流电阻、反向漏流采集器、正向信号阻断二极管以及变压器及调压组件连接成反向电压试验回路；

b）、MCU芯片接收上位机上的试验电流IF、选择基准源类型、老化时间、各种数据上下限及超限保护方式参数，启动直流电源组件以及变压器及调压组件，同时同步控制电路控制可控硅整流器的通断开，使得待测二极管的两端交替加正弦上半波电流源和正弦下半波电压源；

c）、所述电流转换和采样模块通过对采样电阻进行采样得到Ifb信号，并对Ifb信进行滤波处理后形成Ifs信号，Ifs信号由适用于高分辨率的中、低频测量的Σ-Δ型模数转换器采集转换成数字信号；然后，数字信号经MCU芯片的滤波修正和反馈并实时调整控制，最终输出与实际需要加载的正向电流IF相对应的基准信号Vref；

d）、所述电流控制模块对基准信号Vref与Ifb信号进行处理，进而输出信号对调整管进行调节；使得待测二极管上的试验电流IF保持稳定；

e）、MCU芯片使得老化电路按设定的老化时间进行试验，当老化时间达到后自动停止试验；若测试过程中某个待测二极管参数异常，则停止相应的待测二极管老化试验。

2.根据权利要求1所述的一种二极管全动态老化方法，其特征在于，所述步骤e）中，MCU芯片对待测二极管进行采样和控制,并判断正向电流IF是否超上限，若正向电流IF超限，则MCU芯片通过关闭该工位独立基准信号信号Vref，从而快速切断试验电流。

3.根据权利要求1所述的一种二极管全动态老化方法，其特征在于，所述步骤e）中，MCU芯片对待测二极管进行采样和控制,并判断反向漏流IR是否超上限，若反向漏流IR超限，则通过限流电阻使得该工位被限制；或者MCU芯片通过控制继电器开关S2或者继电器开关S3的关断来断开该待测二极管。

4.根据权利要求3所述的一种二极管全动态老化方法，其特征在于，所述反向漏流采集器上也设有电流转换和采样模块，所述电流转换和采样模块将反向漏流IR采集并转换后输送给MCU芯片，MCU芯片根据采集到的反向漏流IR信息控制继电器开关S2或者继电器开关S3的通断。