[发明专利]一种二极管全动态老化方法

说明书

本发明涉及一种二极管全动态老化方法，步骤如下：a）、将相应器件连接成回路；b）、MCU芯片接收上位机上各参数，启动直流电源组件以及变压器及调压组件，同时同步控制电路控制可控硅整流器的通断开，使得待测二极管的两端交替加正弦上半波电流源和正弦下半波电压源；c）、所述电流转换和采样模块通过对采样电阻进行采样，得到Ifb信号，所述电流控制模块对MCU芯片提供的基准信号Vref与Ifb信号进行处理，进而输出信号对调整管进行调节；使得待测二极管上的试验电流IF保持稳定。本发明的方法实时监测试验电流，通过电流控制模块输出控制信号对调整管进行控制，保证了待测二极管上的试验电流稳定，实现自动调节正向电流的功能。

技术领域

本发明涉及二极管老化试验技术领域，更具体地说，是涉及一种二极管全动态老化方法。

背景技术

老化是用来剔除有隐患的二极管，或是剔除那些有制造缺陷的二极管，这些器件的失效与工作时间、工作电压、工作电流等应力有关，未经老化，二极管在正常使用条件下会早期失效。二极管全动态老化就是采用模拟信号的方法，在二极管的正向加一个50Hz正弦上半波电流,在二极管的反向加一个50Hz正弦下半波电压，即在二极管两端交替加正弦上半波电流源和正弦下半波电压源。

现有技术中，二极管的老化测试正向电流是通过调节笨重的调压器来改变隔离大功率低压输出的变压器和发热量大的滑动变阻器来调节的，在使用过程中存在如下问题：1、采用了工频调压器和工频变压器，体积大，效率低；2、正向电流调节复杂，需要调节电阻和正向电压来实现，由两个参数来实现一个设定值，调节比较复杂，无法保证试验电流的准确稳定，且无法全自动调节，需要人工处理，耗费人力。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明的目的在于提供一种二极管全动态老化方法，该方法能够对二极管老化试验线路进行自动化的检测及调整，保证试验电流的准确稳定。

为了实现上述发明目的，本发明采用以下技术方案：

一种二极管全动态老化方法，具体步骤如下：

a）、将待测二极管、反向阻断二极管、调整管、采样电阻、电流转换和采样模块、电流控制模块、电流控制基准信号输出模块以及直流电源组件连接成正向电流试验回路；将待测二极管、反向限流电阻、反向漏流采集器、正向信号阻断二极管以及变压器及调压组件连接成反向电压试验回路；

b）、启动直流电源组件以及变压器及调压组件，同时同步控制电路控制可控硅整流器的通断开，使得待测二极管的两端交替加正弦上半波电流源和正弦下半波电压源；

c）、所述电流转换和采样模块通过对采样电阻进行采样得到Ifb信号，并对Ifb信进行滤波处理后形成Ifs信号，Ifs信号由适用于高分辨率的中、低频测量的Σ-Δ型模数转换器采集转换成数字信号；然后，数字信号经MCU芯片的滤波修正和反馈并实时调整控制，最终输出与实际需要加载的正向电流IF相对应的基准信号Vref；

d）、所述电流控制模块对基准信号Vref与Ifb信号进行处理，进而输出信号对调整管进行调节；使得待测二极管上的试验电流IF保持稳定；

e）、MCU芯片使得老化电路按设定的老化时间进行试验，当老化时间达到后自动停止试验；若测试过程中某个待测二极管参数异常，则停止相应的待测二极管老化试验。

作为优选方案，所述步骤e）中，MCU芯片对待测二极管进行采样和控制,并判断正向电流IF是否超上限，若正向电流IF超限，则MCU芯片通过关闭该工位独立基准信号信号Vref，从而快速切断试验电流。

作为优选方案，所述步骤e）中，MCU芯片对待测二极管进行采样和控制,并判断反向漏流IR是否超上限，若反向漏流IR超限，则通过限流电阻使得该工位被限制；或者MCU芯片通过控制继电器开关S2或者继电器开关S3的关断来断开该待测二极管。