[发明专利]阵列基板和显示面板

说明书

本申请提供了一种阵列基板和显示面板。通过将同一像素区域内的像素电极分支经金属公共电极线分割为第一像素电极分支和第二像素电极分支，并将同一像素区域内的第一像素电极分支靠近对应扫描线的一端与薄膜晶体管连接，第二像素电极分支靠近对应扫描线的一端与薄膜晶体管连接，使得经一薄膜晶体管的电信号从第一像素电极分支靠近对应扫描线的一端向第一像素电极分支远离对应扫描线的一端传导，以及经另一薄膜晶体管的电信号从第二像素电极分支靠近对应扫描线的一端向第二像素电极分支远离对应扫描线的一端传导，从而有效缩短电信号在像素公共电极分支上的传导路径，降低电信号在像素公共电极分支上的衰减，进而提升像素显示亮度的均一性。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板和显示面板。

背景技术

液晶显示屏的显示原理：在外加电场的作用下，液晶分子的排列方向会发生不同程度的变化，从而控制光透过液晶多少的程度，实现不同灰阶亮度的控制。一般将由外电场作用达到某一强度时出现的液晶分子取向变化称为Fredericksz转变。利用Fredericksz转变原理，不同的液晶可以表现出各种不同的显示模式。液晶显示屏中经常使用的显示模式包括扭曲向列型(TN)显示模式、面内转换(In Plane Switching，IPS)显示模式、垂直配向(Vertical Alignment，VA)显示模式。

其中，IPS的变形技术FFS(Fringe Field Switching，边缘电场切换模式)是广视角显示模式的一种，因其具有更好的视角及色彩显示，透过率更高，目前在各家面板厂得到广泛的推广及使用。一般驱动背板中的像素电极和公共电极均位于像素开口区，两个电极需要采用透明ITO(Indium-Tin Oxide，氧化铟锡)材料使背光透过。

当大尺寸产品的像素较大时，纵方向的ITO Slit(狭缝)长度也会较大，由于ITO材料的电阻较大，故ITO Slit远端的电压相对近端ITO的电压就会有衰减，造成像素ITO近远端的电场产生差异，而压差会影响液晶的偏转导致同一像素近远端显示亮度不同。

发明内容

本申请主要解决的技术问题是提供一种阵列基板和显示面板，解决现有技术中同一像素近远端显示亮度不同的问题。

为了解决上述技术问题，本申请提供的第一个技术方案为：提供一种阵列基板，所述阵列基板包括：

第一衬底，以及依次形成于所述第一衬底一侧的第一金属层、第二金属层和第一透明导电层；所述第一金属层用于形成金属公共电极和扫描线；所述第二金属层用于形成数据线和薄膜晶体管的漏极；所述第一透明导电层用于形成公共电极层；所述数据线与所述扫描线纵横交错限定多个像素区域，每个所述像素区域包括一个像素；

还包括第二透明导电层，所述第二透明导电层用于形成所述像素的像素公共电极；

其中，所述像素公共电极包括多条沿所述数据线的延伸方向延伸设置的像素电极分支；

所述金属公共电极位于相邻两条所述扫描线之间，并将对应所述像素区域内的所述像素电极分支分割为彼此绝缘设置的第一像素电极分支和第二像素电极分支；

所述薄膜晶体管包括一对所述漏极；在所述数据线的延伸方向上，位于不同所述像素区域内且相邻的所述第一像素电极分支和所述第二像素电极分支分别连接同一所述薄膜晶体管的不同的所述漏极。

其中，所述第一像素电极分支靠近对应所述扫描线的一端与所述漏极连接；所述第二像素电极分支靠近对应所述扫描线的一端与所述漏极连接。

其中，所述薄膜晶体管设置于所述扫描线与所述数据线的交叉处且位于所述像素区域；所述薄膜晶体管包括第一漏极和第二漏极；所述第一漏极连接于所述第一像素电极分支，所述第二漏极跨对应所述扫描线连接于所述第二像素电极分支。

其中，所述第一像素电极分支的配向方向和所述第二像素电极分支的配向方向相同；