[发明专利]一种表贴晶振电性能调试装置及方法在审
申请号: | 202310484086.9 | 申请日: | 2023-04-28 |
公开(公告)号: | CN116581045A | 公开(公告)日: | 2023-08-11 |
发明(设计)人: | 韩艳菊;郑鸿耀;赵生双 | 申请(专利权)人: | 北京无线电计量测试研究所 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01R31/26;H01L21/67 |
代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人: | 南霆 |
地址: | 100854 北京市海*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 表贴晶振电 性能 调试 装置 方法 | ||
本申请公开了一种表贴晶振电性能调试装置及方法,解决了现有技术中需反复取放调试结构的问题。本申请实施例提供一种表贴晶振电性能调试装置,包含测试电路板、压板、调节限位结构、固定座和第一软性导电材料。所述固定座固定设置在测试电路板上,固定座上开有柱状的贯通腔。所述压板可拆卸的固定设置在固定座上。所述贯通腔的两端分别正对测试电路板和压板。所述第一软性导电材料设置在贯通腔内。所述调节限位结构,用于限位压板远离固定座。本申请操作方便,连接可靠,抗干扰能力强,简单改造后就可成为电路板和底座以及晶振的测试和筛选装置,具有较强实用性。
技术领域
本申请涉及半导体器件技术领域,尤其涉及一种表贴晶振电性能调试装置及方法。
背景技术
随着小型化晶振发展,表贴封装形式应用越来越广泛。衡量晶振性能的指标较多,主要包括频率、电调或压控范围、温频、相噪、功率等。为了实现高性能指标,需要在生产过程中进行电性能指标调试。针对不同晶振结构,调试过程中需要使用不同的装置或夹具。对于具有多层结构的表贴晶振,例如内部带有电路板的陶瓷外壳表贴晶振,电路板与晶振底座不是一体加工成型,目前主要采用焊接或粘接等连接方法,将电路板直接组装在晶振底座上,再将组装结构放在调试装置中。先使用装置测试电性能;然后将结构取下,根据测试结果调试电路参数,调试元件通常在结构中电路板上表面;调试后再将组装结构放入装置进行测试验证。因此,目前这种调试装置不是一种在线调试装置,调试过程中需要反复取放结构,且底座和电路板加工、焊接或粘接组装、调试测试等工序串行进行,生产效率较低。另外,参数调试直接在组装结构中进行,使得组装结构内的应力和多余物风险增大。并且,如果组装结构电性能不合格,故障排查和修复难度较大,对于故障点不在结构中电路板上表面的情况,无法排查异常造成整体报废,或即使可拆卸排查也无法保证可靠性。因此,使用现有表贴晶振调试装置存在不能在线调试,需反复取放调试结构,工序串行进行,加工周期长,不便于排查故障,生产成本高,调试操作对结构可靠性有影响等问题。
发明内容
本申请实施例提供一种表贴晶振电性能调试装置及方法,解决了现有技术中需反复取放调试结构的问题。
本申请实施例提供一种表贴晶振电性能调试装置,包含测试电路板、压板、调节限位结构、固定座和第一软性导电材料。所述固定座固定设置在测试电路板上,固定座上开有柱状的贯通腔。所述压板可拆卸的固定设置在固定座上。所述贯通腔的两端分别正对测试电路板和压板。所述第一软性导电材料设置在贯通腔内。所述调节限位结构,用于限位压板远离固定座。
优选地,所述第一软性导电材料包含导通框和第一弹簧探针。所述第一弹簧探针穿过导通框,且两端分别正对贯通腔的两端开口。
进一步地,所述压板上还有开口。所述开口正对贯通腔。多个所述压柱围绕开口一圈设置。
优选地,所述调节限位结构包含连接块、挡块和挂钩。所述连接块固定设置在固定座的外侧壁上。所述挡块固定设置在压板上。所述挂钩设置在挡块上,可以向固定座方向摆动。通过所述挂钩勾住连接块限位压板远离固定座。
进一步地,还包含第二软性导电材料。所述第二软性导电材料设置在测试电路板上,正对贯通腔。
进一步地,还包含螺钉和压块。导通框与测试电路板之间的固定座侧壁上带有垂直于贯通腔的第一通孔,固定座远离测试电路板一侧开有垂直穿过通孔的螺纹孔。所述螺纹孔用于容纳螺钉。所述压块设置在第一通孔中,压块上有正对螺纹孔的第二通孔。所述第二通孔的直径大于螺钉的螺纹柱。所述第二通孔远离贯通腔一侧贴紧螺钉时,压块从第一通孔中伸出。
进一步地,所述第二软性导电材料至少包含第二弹簧探针或导电海绵。
进一步地,还包含晶振底座。所述晶振底座固定设置测试电路板上并与测试电路板可靠电连接。所述第一软性导电材料固定连接晶振底座。
进一步地,还包含调试电路板。所述调试电路板固定设置在压板上并与压板可靠电连接。所述第一软性导电材料固定连接调试电路板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造