[发明专利]阵列基板、显示面板和显示装置在审
申请号: | 202310492341.4 | 申请日: | 2023-04-28 |
公开(公告)号: | CN116544238A | 公开(公告)日: | 2023-08-04 |
发明(设计)人: | 赵利军;米磊;丁立薇;曹昆 | 申请(专利权)人: | 合肥维信诺科技有限公司;昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H10K59/12 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 魏润洁 |
地址: | 230000 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
衬底;
驱动电路层,形成于所述衬底上,包括层叠设置的第一导电层、多晶硅半导体层、第二导电层、氧化物半导体层和第三导电层,所述驱动电路层包括第一晶体管、第二晶体管和电容,所述第一晶体管包括第一有源层和第一栅极,所述第二晶体管包括第二有源层、第二栅极和第三栅极,所述电容包括第一极板和第二极板,其中,
所述第一有源层形成于所述多晶硅半导体层,所述第一栅极形成于所述第二导电层;
所述第一极板形成于所述第一导电层、所述第二导电层、所述氧化物半导体层和所述第三导电层中的一者,所述第二极板形成于所述第一导电层、所述第二导电层、所述氧化物半导体层和所述第三导电层中的另一者;
所述第二栅极形成于所述第一导电层,第三栅极形成于所述第三导电层,所述第二有源层形成于所述氧化物半导体层。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一导电层在所述第一有源层上的正投影覆盖所述第一有源层。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述电容还包括第三极板,所述第三极板形成于所述第一导电层、所述第二导电层、所述氧化物半导体层和所述第三导电层中的一者,且所述第三极板与所述第一极板、所述第二极板异层设置,所述第三极板位于所述第二极板背离所述第一极板的一侧,所述第三极板、所述第二极板在所述衬底上的正投影至少部分交叠。
4.根据权利要求1或2所述的阵列基板,其特征在于,所述第一导电层、所述第二导电层的材质为透明导电材料,或者,所述第一导电层、所述第二导电层的材质为金属。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述第一导电层、所述第二导电层的材质为透明导电材料,所述阵列基板还包括第一金属层,所述第一金属层与所述第一导电层接触,且所述第一金属层形成于所述第一导电层背离所述衬底的一侧,所述第一金属层与所述第一有源层相对设置,且所述第一金属层、所述第一栅极在所述衬底上的正投影至少部分交叠;和/或,
所述第一导电层、所述第二导电层的材质为透明导电材料,所述阵列基板还包括第二金属层,所述第二金属层与所述第一导电层接触,且所述第二金属层形成于所述第一导电层背离所述衬底的一侧,所述第二金属层、所述第二栅极在所述衬底上的正投影至少部分交叠。
6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括所述第一金属层和所述第二金属层,所述第一金属层、所述第二金属层和所述第一导电层采用一次掩膜工艺制备形成。
7.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述第一导电层、所述第二导电层的材质为透明导电材料,所述阵列基板还包括第三金属层,所述第三金属层与所述第二导电层接触,且所述第三金属层形成于所述第二导电层背离所述衬底的一侧,所述第三金属层、所述第一栅极在所述衬底上的正投影至少部分交叠。
8.根据权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述第三金属层、所述第二导电层采用同一次掩膜工艺制备形成。
9.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1-8任一项所述的阵列基板。
10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求9所述的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的