[发明专利]一种IC塑封导电膜的制备工艺

权利要求书

1.一种IC塑封导电膜的制备工艺，其特征在于：包括以下步骤：

S1、将基板输送至进料机构上，通过进料机构将基板输送至指定装置腔体内；

S2、通过进料机构将基板输送至塑封装置内部的入料腔中，入料腔内部达到大气压力与真空腔隔离的效果；

S3、当输送至加热腔中，加热腔对基板进行预热；

S4、当预热完成后，输送至电浆清洗腔中，处理表面污染物；

S5、载盘进入溅镀腔前输送至第一传送腔内，进行暂存和过渡传送；

S6、载盘输送至第一制程腔的溅镀腔中，进行金属镀膜；

S7、当初步镀膜完成后，通过输送至第二传送腔内，由第二传送腔向第二制程腔中输送；

S8、当载盘进入第二制程腔中，进行金属镀膜；

S9、镀膜完成后的载盘通过输送机构输送至第三传送腔中，并输送至高真空缓冲腔体中进行高真空缓冲；

S10、传送腔内的载盘输送至出料腔中，由出料腔输送至取料站，完成取出基板。

2.如权利要求1所述的一种 IC塑封导电膜的制备工艺，其特征在于：所述加热腔与所述电浆清洗腔体内均设置有电浆观察视窗，所述电浆观察视窗的表面设置有保证密封的密封件。

3.如权利要求1所述的一种 IC塑封导电膜的制备工艺，其特征在于：所述第一传送腔、第二传送腔与第三传送腔内腔均设置有加热器，所述加热器用于加热和维持基板的温度。

4.如权利要求2所述的一种 IC塑封导电膜的制备工艺，其特征在于：所述第一制程腔和第二制程腔内腔均设置有若干个溅镀磁控阴极，所述第一制程腔与第二制程腔内腔中。

5.如权利要求4所述的一种IC塑封导电膜的制备工艺，其特征在于：所述第一制程腔与所述第二制程腔内腔设置的若干个溅镀磁控阴极数量最高为三支。

6.如权利要求1所述的一种IC塑封导电膜的制备工艺，其特征在于：所述第一制程腔与所述第二制程腔的表面均设置有用于观察的制程观察视窗，所述制程观察视窗上设置有用于遮挡制程观察视窗的手动控制遮板。

7.如权利要求5所述的一种IC塑封导电膜的制备工艺，其特征在于：所述第一制程腔和所述第二制程腔均设置有导气机构，所述导气机构将氩气导入至相对应的腔体中辅助镀膜。