[发明专利]一种IC塑封导电膜的制备工艺在审
申请号: | 202310493338.4 | 申请日: | 2023-05-05 |
公开(公告)号: | CN116469781A | 公开(公告)日: | 2023-07-21 |
发明(设计)人: | 周树法 | 申请(专利权)人: | 昆山立特纳米电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/67;C23C14/35;C23C14/02;C23C14/56 |
代理公司: | 苏州尚贤专利代理事务所(普通合伙) 32702 | 代理人: | 朱江 |
地址: | 215316 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 ic 塑封 导电 制备 工艺 | ||
本发明适用于IC塑封技术领域,提供了一种IC塑封导电膜的制备工艺,包括以下步骤:S1、将基板输送至进料机构上,通过进料机构将基板输送至指定装置腔体内。S2、通过进料机构将基板输送至塑封装置内部的入料腔中,入料腔内部达到大气压力与真空腔隔离的效果。该IC塑封导电膜的制备工艺,通过进入加热腔,用于基板预热和初步清洗,通过电桨清洗腔,以电桨去除表面污染物,来增强镀膜层的附着力,输送至传送腔并加热后进入制程腔体,使气体均匀导入,进行溅镀,溅镀完成后,经过传送腔,流转至高真空缓冲及出料腔,完成制作,解决在半导体IC塑封中存在的短路、分层失效现象的问题,保证拉力较好和晶元不会存在短路失效的好处。
技术领域
本发明属于IC塑封技术领域,尤其涉及一种IC塑封导电膜的制备工艺。
背景技术
现代涂层和涂料技术的发展方向是要开发符合环保功能的高性能涂层和涂料,由于表面效应、小尺寸效应和量子效应的影响,纳米材料在物理性能、力学性能等方面都出现不同于宏观物质的许多特性,表现为高强高韧、高比热、高热膨胀率、高电导率、导磁性、高特征频谱吸波性等,成为新世纪科技发展前沿的重要研究领域。可以预见将纳米材料与表面涂层技术相结合,制备含有纳米粉体的表面复合涂层,可以提高表面技术的改性效果
和传统涂层相比,经过纳米复合的涂层具有优异的力学性能,如更低的孔隙率、更高的结合强度、更高的硬度、抗氧化性、耐腐蚀性,因此将大大拓宽表面涂层在机构零件修复、强化和保护领域的应用。
然而目前国内国外半导体塑封后晶元存在短路失效,其拉力无法满足在不同环境和需求下的使用环境,因此需要进一步提高拉力。
发明内容
为解决上述技术问题,本发明提供了拉力值较高、避免溅射在塑封料上的金属薄膜塑粉后晶元存在短路失效问题的优点。
为达到上述目的,本发明的技术方案如下:
一种 IC塑封导电膜的制备工艺,包括以下步骤:
S1、将基板输送至进料机构上,通过进料机构将基板输送至指定装置腔体内。
S2、通过进料机构将基板输送至塑封装置内部的入料腔中,入料腔内部达到大气压力与真空腔隔离的效果。
S3、当输送至加热腔中,加热腔对基板进行预热。
S4、当预热完成后,输送至电浆清洗腔中,处理表面污染物。
S5、载盘进入溅镀腔前输送至第一传送腔内,进行暂存和过渡传送。
S6、载盘输送至第一制程腔的溅镀腔中,进行金属镀膜。
S7、当初步镀膜完成后,通过输送至第二传送腔内,由第二传送腔向第二制程腔中输送。
S8、当载盘进入第二制程腔中,进行金属镀膜。
S9、镀膜完成后的载盘通过输送机构输送至第三传送腔中,并输送至高真空缓冲腔体中进行高真空缓冲。
S10、传送腔内的载盘输送至出料腔中,由出料腔输送至取料站,完成取出基板。
作为本发明的一种优选方案,所述加热腔与所述电浆清洗腔体内均设置有电浆观察视窗,所述电浆观察视窗的表面设置有保证密封的密封件。
作为本发明的一种优选方案,所述第一传送腔、第二传送腔与第三传送腔内腔均设置有加热器,所述加热器用于加热和维持基板的温度。
作为本发明的一种优选方案,所述第一制程腔和第二制程腔内腔均设置有若干个溅镀磁控阴极,所述第一制程腔与第二制程腔内腔中。
作为本发明的一种优选方案,所述第一制程腔与所述第二制程腔内腔设置的若干个溅镀磁控阴极数量最高为三支。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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