[发明专利]一种半导体设备综合效率的监测装置及监测方法有效
申请号: | 202310504951.1 | 申请日: | 2023-05-08 |
公开(公告)号: | CN116230595B | 公开(公告)日: | 2023-09-12 |
发明(设计)人: | 王洪鹏 | 申请(专利权)人: | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;G06F17/10;G06Q50/04 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 苗晓娟 |
地址: | 230012 安徽省合肥*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体设备 综合 效率 监测 装置 方法 | ||
1.一种半导体设备综合效率的监测装置,其特征在于,包括:
机台加工周期计算模块,用于在一批晶圆中,收集每一片所述晶圆在机台各个单元的传入时间和传出时间,并根据每一片所述晶圆对应的所述传入时间和所述传出时间,计算所述机台加工一片所述晶圆的机台加工周期;
理论加工周期计算模块,用于根据预设离群阈值对所述机台加工周期进行分选,以获取理论加工周期;
设备综合效率计算模块,用于在达到预设负荷时间后,获取多个相同所述机台上所述晶圆经加工后的合格品数量;以及
设备综合效率数据监测模块,用于根据所述理论加工周期、所述负荷时间和所述合格品数量,计算多个相同所述机台的设备综合效率。
2.根据权利要求1所述的半导体设备综合效率的监测装置,其特征在于,所述机台加工周期计算模块用于计算所述机台加工周期,所述机台加工周期满足:
,其中,T0表示所述机台的所述机台加工周期,Tn表示第n片晶圆在所述机台最后一个单元的传出时间,N表示一批晶圆的数量。
3.根据权利要求1所述的半导体设备综合效率的监测装置,其特征在于,所述设备综合效率数据监测模块,用于在多个所述机台中,当数值最大的所述设备综合效率与其他数值的所述设备综合效率的差值超过预设效率阈值时,将其他数值的所述设备综合效率记录为设备综合效率损失;
所述机台加工周期计算模块,用于根据每一片所述晶圆对应的传入时间和传出时间,计算各个所述单元加工一片所述晶圆的单元加工周期。
4.根据权利要求3所述的半导体设备综合效率的监测装置,其特征在于,在所述设备综合效率数值最大的机台与所述设备综合效率损失的机台中,所述设备综合效率数据监测模块,用于对于相同所述单元的所述单元加工周期之间的差值大于等于预设周期阈值的,将所述设备综合效率损失的机台所关联的所述单元加工周期,记录为异常加工周期;以及
所述设备综合效率数据监测模块,还用于对于相同所述单元的所述单元加工周期之间的差值小于预设周期阈值的,不记录异常加工周期。
5.根据权利要求1所述的半导体设备综合效率的监测装置,其特征在于,所述理论加工周期计算模块用于获取理论加工周期,所述理论加工周期T0满足,其中,表示去掉离群值后其余机台加工周期的平均值,为去掉离群值后其余机台加工周期的平均偏差。
6.根据权利要求5所述的半导体设备综合效率的监测装置,其特征在于,所述理论加工周期计算模块,用于根据预设离群阈值对所述机台加工周期进行分选,获取所述机台加工周期;
所述理论加工周期计算模块,还用于判断当所述机台加工周期是最小值时,将所述机台加工周期更新为所述理论加工周期,判断当所述机台加工周期不是最小值时,维持所述理论加工周期。
7.根据权利要求5所述的半导体设备综合效率的监测装置,其特征在于,所述理论加工周期计算模块,用于获取一台所述机台每批晶圆分别对应的流程标准参数;
所述理论加工周期计算模块,还用于根据预设离群阈值,对所述流程标准参数对应的所述机台加工周期进行分选,以获取流程加工周期,对所述流程加工周期进行计算生成所述机台的理论加工周期,所述理论加工周期T0与所述流程加工周期满足:,其中lot表示为一批晶圆,p表示晶圆的批次数量,t0表示所述流程加工周期,x0表示晶圆移动量。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造