[发明专利]一种提高他克莫司产量的方法在审

专利信息
申请号: 202310507052.7 申请日: 2023-05-08
公开(公告)号: CN116515920A 公开(公告)日: 2023-08-01
发明(设计)人: 刘佳乐;胡海峰;黄浩龙;张梦莹 申请(专利权)人: 国药集团健康产业研究院有限公司
主分类号: C12P17/18 分类号: C12P17/18;C12N3/00;C12N1/20;C12R1/465
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 201203 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 提高 克莫司 产量 方法
【权利要求书】:

1.一种提高他克莫司产量的方法,其特征在于,将筑波链霉菌用氧化剂处理,得到氧化应激孢子,再将氧化应激孢子接入发酵培养基,按常规方法发酵,获得含他克莫司发酵液,将发酵液分离纯化即可。

2.如权利要求1所述的方法,所述氧化剂处理包含以下步骤:

A.将筑波链霉菌接至平板培养基,温度20-30℃培养7-10d,得到筑波链霉菌孢子,用无菌水洗脱孢子,经研磨稀释得到孢子悬液;

B.将孢子悬液接入种子培养基中,温度28℃,转速200-300rpm,培养24-60h,得到筑波链霉菌种子液;

C.在发酵培养基中加入氧化剂,摇匀后迅速加入上一步获得的种子液,温度20-30℃,转速200-300rpm培养1-7d,获得氧化剂处理的发酵液;

D.取步骤C获得的发酵液加入无菌水稀释至适当菌体细胞浓度,混匀后涂布培养平板,在温度20-30℃下培养7-9d,得到氧化应激孢子。

3.如权利要求2所述的方法,所述步骤A的培养温度为28℃,步骤B的转速为240rpm,培养时间为48h;步骤C的培养温度为25℃,转速为220rpm,培养时间为2-4d;步骤D的培养温度为28℃。

4.如权利要求2所述的方法,所述步骤C所述氧化剂为过氧化氢;所述氧化剂的加入量为0.01%-1%,优选0.3%-0.5%。

5.如权利要求2所述的方法,步骤D中所述的菌体细胞浓度为107~108CFU/ml。

6.如权利要求2所述的方法,所述平板培养基组成为(g/L):可溶性淀粉1、K2HPO4 1、NaCl 1、MgSO4·7H2O 1、(NH4)2SO4 2、CaCO3 2、FeSO4·7H2O 0.001、MnCl2·4H2O 0.001、ZnSO4·7H2O 0.001、琼脂15,pH7.0-7.4;

所述种子培养基组成为(g/L):可溶性淀粉15、葡萄糖10、花生饼粉5、玉米浆干粉5、甘油5、酵母粉5、CaCO3 2,pH7.0;

所述发酵培养基组成为(g/L):糊精40、玉米淀粉30、可溶性淀粉20、葡萄糖13、玉米浆干粉6、甘油10、酵母粉12、酵母浸粉8、L-精氨酸2、哌啶-2-甲酸1、CuSO4·5H2O0.1、MgSO40.5、CaCO3 1,pH7.0。

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