[发明专利]一种提高他克莫司产量的方法在审
申请号: | 202310507052.7 | 申请日: | 2023-05-08 |
公开(公告)号: | CN116515920A | 公开(公告)日: | 2023-08-01 |
发明(设计)人: | 刘佳乐;胡海峰;黄浩龙;张梦莹 | 申请(专利权)人: | 国药集团健康产业研究院有限公司 |
主分类号: | C12P17/18 | 分类号: | C12P17/18;C12N3/00;C12N1/20;C12R1/465 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201203 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提高 克莫司 产量 方法 | ||
1.一种提高他克莫司产量的方法,其特征在于,将筑波链霉菌用氧化剂处理,得到氧化应激孢子,再将氧化应激孢子接入发酵培养基,按常规方法发酵,获得含他克莫司发酵液,将发酵液分离纯化即可。
2.如权利要求1所述的方法,所述氧化剂处理包含以下步骤:
A.将筑波链霉菌接至平板培养基,温度20-30℃培养7-10d,得到筑波链霉菌孢子,用无菌水洗脱孢子,经研磨稀释得到孢子悬液;
B.将孢子悬液接入种子培养基中,温度28℃,转速200-300rpm,培养24-60h,得到筑波链霉菌种子液;
C.在发酵培养基中加入氧化剂,摇匀后迅速加入上一步获得的种子液,温度20-30℃,转速200-300rpm培养1-7d,获得氧化剂处理的发酵液;
D.取步骤C获得的发酵液加入无菌水稀释至适当菌体细胞浓度,混匀后涂布培养平板,在温度20-30℃下培养7-9d,得到氧化应激孢子。
3.如权利要求2所述的方法,所述步骤A的培养温度为28℃,步骤B的转速为240rpm,培养时间为48h;步骤C的培养温度为25℃,转速为220rpm,培养时间为2-4d;步骤D的培养温度为28℃。
4.如权利要求2所述的方法,所述步骤C所述氧化剂为过氧化氢;所述氧化剂的加入量为0.01%-1%,优选0.3%-0.5%。
5.如权利要求2所述的方法,步骤D中所述的菌体细胞浓度为107~108CFU/ml。
6.如权利要求2所述的方法,所述平板培养基组成为(g/L):可溶性淀粉1、K2HPO4 1、NaCl 1、MgSO4·7H2O 1、(NH4)2SO4 2、CaCO3 2、FeSO4·7H2O 0.001、MnCl2·4H2O 0.001、ZnSO4·7H2O 0.001、琼脂15,pH7.0-7.4;
所述种子培养基组成为(g/L):可溶性淀粉15、葡萄糖10、花生饼粉5、玉米浆干粉5、甘油5、酵母粉5、CaCO3 2,pH7.0;
所述发酵培养基组成为(g/L):糊精40、玉米淀粉30、可溶性淀粉20、葡萄糖13、玉米浆干粉6、甘油10、酵母粉12、酵母浸粉8、L-精氨酸2、哌啶-2-甲酸1、CuSO4·5H2O0.1、MgSO40.5、CaCO3 1,pH7.0。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国药集团健康产业研究院有限公司,未经国药集团健康产业研究院有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202310507052.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种举宫器
- 下一篇:一种削峰填谷变换器及其控制方法